长鑫存储技术有限公司吴玉雷获国家专利权
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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利一种半导体结构及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115568209B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110753746.X，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权一种半导体结构及其制作方法是由吴玉雷;杨彬设计研发完成，并于2021-07-02向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体结构及其制作方法在说明书摘要公布了：本公开提供了一种半导体结构及其制作方法，其中，半导体结构的制作方法包括：在初始结构中形成电容柱；去除部分初始结构形成沟槽，沟槽暴露出电容柱的部分侧壁以及初始结构的衬底；形成介电层，介电层至少覆盖电容柱暴露的表面；形成第一上电极，第一上电极覆盖介电层的表面；形成第二上电极，第二上电极覆盖第一上电极的表面；其中，在电容柱轴向方向上，形成于沟槽内的第二上电极部分不连续，且第二上电极的不连续部分形成空气隙。本公开的半导体结构的制作方法，在电容柱之间形成空气隙，避免半导体结构漏电。
本发明授权一种半导体结构及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的制作方法，其特征在于，所述方法包括： 在初始结构中形成电容柱； 去除部分所述初始结构形成沟槽，所述沟槽暴露出所述电容柱的部分侧壁以及所述初始结构的衬底； 形成介电层，所述介电层至少覆盖所述电容柱暴露的表面； 形成第一上电极，所述第一上电极覆盖所述介电层的表面； 形成第二上电极，所述第二上电极覆盖所述第一上电极的表面； 其中，在所述电容柱轴向方向上，形成于所述沟槽内的所述第二上电极部分不连续，且所述第二上电极的不连续部分形成空气隙； 形成第一上电极，包括： 通过第一工艺沉积以第一沉积速度在所述介电层上沉积第一材料，形成所述第一上电极； 形成第二上电极，包括： 通过第二工艺以第二沉积速度在所述第一上电极上沉积第二材料，形成所述第二上电极，所述第二沉积速度大于所述第一沉积速度。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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