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龙图腾网获悉广州昆德半导体测试技术有限公司申请的专利一种液氮温度下的半导体电阻率测量装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115575679B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211370159.3，技术领域涉及：G01R1/067；该发明授权一种液氮温度下的半导体电阻率测量装置是由王昕;叶灿明;李俊生;王世进设计研发完成，并于2022-11-03向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种液氮温度下的半导体电阻率测量装置在说明书摘要公布了：本发明公开了一种液氮温度下的半导体电阻率测量装置，该装置包括：安装底板、样品托架、探针模块、滑台模组、固定竖板、第一铟片、第二铟片、第一铜电极、第二铜电极、第一绝缘衬板、第二绝缘衬板和样品加压活动模组；滑台模组与探针模块连接，探针模块设有多个楔形探针，固定竖板依次与第一绝缘衬板、第一铜电极和第一铟片连接，样品加压活动模组与电极固定板连接，电极固定板依次与第二绝缘衬板、第二铜电极和第二铟片连接，第一铟片、第二铟片分别设于待测样品的端面位置，样品托架和探针模块分别设于待测样品的晶面位置；本发明通过弹簧片给楔形探针加压，保证在低温下楔形探针与样品的良好接触，无需切片制样，快速得到整根单晶的电阻率分布结果。

本发明授权一种液氮温度下的半导体电阻率测量装置在权利要求书中公布了：1.一种液氮温度下的半导体电阻率测量装置，其特征在于，包括：安装底板、样品托架、探针模块、滑台模组、固定竖板、第一铟片、第二铟片、第一铜电极、第二铜电极、第一绝缘衬板、第二绝缘衬板和样品加压活动模组； 所述探针模块设有多个楔形探针，所述楔形探针用于与待测样品的晶面接触； 所述样品托架、固定竖板和样品加压活动模组分别与安装底板连接，所述滑台模组与探针模块连接； 所述固定竖板的一侧与第一绝缘衬板的一侧连接，第一绝缘衬板的另一侧与第一铜电极的一侧连接，第一铜电极的另一侧与第一铟片连接； 所述样品加压活动模组与电极固定板的一侧连接，电极固定板的另一侧与第二绝缘衬板的一侧连接，第二绝缘衬板的另一侧与第二铜电极的一侧连接，第二铜电极的另一侧与第二铟片连接， 所述第一铟片、第二铟片、样品托架和探针模块之间形成待测样品的容纳空间，所述第一铟片、第二铟片分别设于待测样品的端面位置，所述样品托架和探针模块分别设于待测样品的晶面位置； 所述样品加压活动模组用于带动电极固定板在水平方向上移动，调节第二铟片与待测样品端面的位置，所述滑台模组用于带动探针模块在竖直方向上移动，调节楔形探针与待测样品晶面的距离。

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