长鑫存储技术有限公司吴玉雷获国家专利权
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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利电容孔的形成方法及半导体结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115588610B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110758236.1，技术领域涉及：H01L21/027；该发明授权电容孔的形成方法及半导体结构是由吴玉雷设计研发完成，并于2021-07-05向国家知识产权局提交的专利申请。
本电容孔的形成方法及半导体结构在说明书摘要公布了：本发明提出一种电容孔的形成方法及半导体结构，形成方法包含：提供一衬底，衬底中形成有电极；在衬底表面形成图案定义层；在图案定义层中依次形成三组沟槽，三组沟槽互为120°交叉，且于交叉位置在图案定义层中形成六边形的孔洞；以图案定义层为掩膜并沿孔洞刻蚀衬底，以于衬底中形成电容孔，在刻蚀负载效应的作用下，电容孔底部呈圆形，电极暴露于电容孔底部。通过上述设计，本发明能够保证电容孔底部呈圆形，使电容孔曲率保持均匀。
本发明授权电容孔的形成方法及半导体结构在权利要求书中公布了：1.一种电容孔的形成方法，其特征在于，包含： 提供一衬底，所述衬底中形成有电极； 在所述衬底表面形成图案定义层； 在所述图案定义层中依次形成三组沟槽，三组所述沟槽互为120°交叉，且于交叉位置在所述图案定义层中形成六边形的孔洞； 以所述图案定义层为掩膜并沿所述孔洞刻蚀所述衬底，以于所述衬底中形成电容孔，在刻蚀负载效应的作用下，所述电容孔底部呈圆形，所述电极暴露于所述电容孔底部。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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