长鑫存储技术有限公司王路广获国家专利权
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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利散热结构、散热结构的形成方法及半导体结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115602643B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110766667.2，技术领域涉及：H01L23/367；该发明授权散热结构、散热结构的形成方法及半导体结构是由王路广设计研发完成，并于2021-07-07向国家知识产权局提交的专利申请。
本散热结构、散热结构的形成方法及半导体结构在说明书摘要公布了：本申请实施例提供一种散热结构、散热结构的形成方法及半导体结构，其中，散热结构包括：第一散热环和第二散热环；所述第一散热环形成于硅通孔周围的介质层中，且所述第一散热环与所述硅通孔接触；其中，所述硅通孔贯穿芯片的硅衬底和位于所述硅衬底表面的所述介质层；所述第二散热环形成于所述第一散热环的周围，且所述第二散热环与所述第一散热环接触；所述第二散热环的内部具有一散热空隙；所述第二散热环在第一方向上的尺寸小于所述第一散热环在所述第一方向上的尺寸；所述第一方向为所述硅衬底的厚度方向。通过本申请，能够使得硅通孔产生的热量散发至芯片外部，提高了硅通孔的可靠性和稳定性。
本发明授权散热结构、散热结构的形成方法及半导体结构在权利要求书中公布了：1.一种散热结构，其特征在于，包括：第一散热环和第二散热环； 所述第一散热环形成于硅通孔周围的介质层中，且所述第一散热环与所述硅通孔接触；其中，所述硅通孔贯穿芯片的硅衬底和位于所述硅衬底表面的所述介质层； 所述第二散热环形成于所述第一散热环的周围，且所述第二散热环与所述第一散热环接触；所述第二散热环的内部具有一散热空隙；所述第二散热环在第一方向上的尺寸小于所述第一散热环在所述第一方向上的尺寸；所述第一方向为所述硅衬底的厚度方向。
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