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龙图腾网获悉上海新微技术研发中心有限公司申请的专利基于双层氮化硅结构的光栅耦合器及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115616703B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110808467.9，技术领域涉及：G02B6/12；该发明授权基于双层氮化硅结构的光栅耦合器及其制作方法是由王安鑫;王书晓;蔡艳设计研发完成，并于2021-07-16向国家知识产权局提交的专利申请。

本基于双层氮化硅结构的光栅耦合器及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种基于双层氮化硅结构的光栅耦合器及其制作方法，包括衬底、第一二氧化硅层、下层氮化硅光栅、下层氮化硅波导、第二二氧化硅层、上层氮化硅光栅、上层氮化硅波导及第三二氧化硅层。上层氮化硅光栅将输入光的部分耦合进入上层氮化硅波导中，输入光的另一部分透过上层氮化硅光栅射向衬底形成透射光，下层氮化硅光栅将透射光的一部分反射回上层氮化硅光栅，并耦合进入上层氮化硅波导，透射光的另一部分进入下层氮化硅光栅并耦合进入下层氮化硅波导，然后耦合进入上层氮化硅波导中。本发明的光栅耦合器对波长为1530nm～1565nm的输入光的耦合效率为60％以上，光栅耦合器的1dB带宽大于100nm。

本发明授权基于双层氮化硅结构的光栅耦合器及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种基于双层氮化硅结构的光栅耦合器，其特征在于，所述光栅耦合器包括： 衬底； 第一二氧化硅层，设置于所述衬底上； 下层氮化硅光栅，设置于所述第一二氧化硅层上； 下层氮化硅波导，设置于所述第一二氧化硅层上并与所述下层氮化硅光栅连接； 第二二氧化硅层，设置于所述下层氮化硅光栅和所述下层氮化硅波导上； 上层氮化硅光栅，设置于所述第二二氧化硅层上； 上层氮化硅波导，设置于所述第二二氧化硅层上并与所述上层氮化硅光栅连接； 第三二氧化硅层，设置于所述上层氮化硅光栅和所述上层氮化硅波导上； 其中，当输入光进入所述光栅耦合器时，上层氮化硅光栅将所述输入光的部分耦合进入所述上层氮化硅波导中，输入光的另一部分透过所述上层氮化硅光栅射向所述衬底形成透射光，所述下层氮化硅光栅将所述透射光的一部分反射回所述上层氮化硅光栅，并由所述上层氮化硅光栅耦合进入所述上层氮化硅波导，所述透射光的另一部分进入所述下层氮化硅光栅，并由所述下层氮化硅光栅耦合进入所述下层氮化硅波导，接着由所述下层氮化硅波导耦合进入所述上层氮化硅波导中，最终由所述上层氮化硅波导输出。

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