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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利半导体器件形成阵列圆形孔的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115621122B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110794376.4，技术领域涉及：H01L21/311；该发明授权半导体器件形成阵列圆形孔的制备方法是由王景皓;辛欣设计研发完成，并于2021-07-14向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体器件形成阵列圆形孔的制备方法在说明书摘要公布了：本发明实施例公开了一种半导体器件形成阵列圆形孔的制备方法，包括：提供一基底，并于基底表面形成堆叠层、掩膜层和第一牺牲层；在第一牺牲层上形成具有呈阵列排布的第一圆形开口的第一光阻层；沿第一圆形开口向下刻蚀第一牺牲层和掩膜层；形成第二牺牲层；在第二牺牲层上形成第二光阻层，第二光阻层上选择性地形成呈阵列排布的第二圆形开口，以使任意一个第二圆形开口位于与其相邻的任意两个第一圆形开口连线的中垂线上；沿第二圆形开口向下刻蚀第二牺牲层和掩膜层，以第一掩膜图案和第二掩膜图案为掩膜向下刻蚀堆叠层，以在堆叠层内形成阵列圆形孔。根据本发明实施例的制备方法，能够形成避免相邻电容孔之间的相互干扰和影响，提高产品良率。

本发明授权半导体器件形成阵列圆形孔的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件形成阵列圆形孔的制备方法，其特征在于， 包括： 提供一基底，并于所述基底表面形成待图案化的材料层，所述材料层在从下至上的方向上至少包括堆叠层、掩膜层和第一牺牲层； 在所述第一牺牲层上形成第一光阻层，并于所述第一光阻层上形成呈阵列排布的第一圆形开口； 沿所述第一圆形开口向下刻蚀所述第一牺牲层和所述掩膜层，图案化所述掩膜层，形成包括第一掩膜图案的掩膜层； 刻蚀剩余的所述第一牺牲层至暴露所述第一掩膜图案； 在所述包括第一掩膜图案的掩膜层上形成第二牺牲层； 在所述第二牺牲层上形成第二光阻层，并于所述第二光阻层上选择性地形成呈阵列排布的第二圆形开口，以使任意一个所述第二圆形开口位于与其相邻的任意两个所述第一圆形开口连线的中垂线上； 沿所述第二圆形开口向下刻蚀第二牺牲层和所述包括第一掩膜图案的掩膜层，图案化所述包括第一掩膜图案的掩膜层，形成包括第一掩膜图案和第二掩膜图案的掩膜层，其中，所述包括第一掩膜图案和第二掩膜图案的掩膜层中相邻两个掩膜开口由不同图案化处理步骤形成； 以所述包括第一掩膜图案和所述第二掩膜图案的掩膜层为掩膜向下刻蚀所述堆叠层，以在所述堆叠层内形成所述阵列圆形孔。

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