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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利一种测试电路、测试结构和测试方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115631783B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211322935.2，技术领域涉及：G11C29/44；该发明授权一种测试电路、测试结构和测试方法是由张家瑞设计研发完成，并于2022-10-27向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种测试电路、测试结构和测试方法在说明书摘要公布了：本公开实施例提供了一种测试电路、测试结构和测试方法，该测试电路应用于芯片堆叠结构，芯片堆叠结构包括多个芯片，且多个芯片被硅通孔模块贯穿连接；测试电路包括第一测试模块和第二测试模块，硅通孔模块的两端分别连接第一测试模块和第二测试模块，且第一测试模块设置在多个芯片中的底层芯片内，第二测试模块设置在多个芯片中的顶层芯片内，其中：测试电路，用于根据第一测试模块和第二测试模块共同对底层芯片与顶层芯片之间的硅通孔模块进行测试，确定测试结果；其中，测试结果用于指示硅通孔模块是否存在异常。本公开实施例能够实现对硅通孔模块的准确测量，进而快速检测出芯片堆叠结构中存在异常的硅通孔。

本发明授权一种测试电路、测试结构和测试方法在权利要求书中公布了：1.一种测试电路，其特征在于，应用于芯片堆叠结构，所述芯片堆叠结构包括多个芯片，且所述多个芯片被硅通孔模块贯穿连接；所述测试电路包括第一测试模块和第二测试模块，所述硅通孔模块的两端分别连接所述第一测试模块和所述第二测试模块，且所述第一测试模块设置在所述多个芯片中的底层芯片内，所述第二测试模块设置在所述多个芯片中的顶层芯片内，其中： 所述测试电路，用于根据所述第一测试模块和所述第二测试模块共同对所述底层芯片与所述顶层芯片之间的所述硅通孔模块进行测试，确定测试结果；其中，所述测试结果用于指示所述硅通孔模块是否存在异常； 所述第一测试模块，用于根据与所述第一测试模块连接的所述硅通孔模块一端的电压变化确定第一测试结果； 所述第二测试模块，用于根据与所述第二测试模块连接的所述硅通孔模块另一端的电压变化确定第二测试结果； 其中，所述硅通孔模块两端的电压变化由所述第一测试模块和所述第二测试模块共同提供，所述第一测试结果和所述第二测试结果组成所述测试结果； 所述第一测试模块包括充电模块和第一触发模块，所述第二测试模块包括放电模块和第二触发模块；其中： 所述充电模块，用于在所述第一触发模块和所述第二触发模块接收到上电信号后，将所述硅通孔模块充电至第一电平； 所述放电模块，用于在所述充电模块对所述硅通孔模块进行充电后，将所述硅通孔模块放电至第二电平； 所述第一触发模块，用于根据所述第一电平和所述第二电平进行触发处理，得到第一测试结果； 所述第二触发模块，用于根据所述第一电平和所述第二电平进行触发处理，得到第二测试结果。

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