买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利半导体结构的制造方法和半导体结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115643749B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110813573.6，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权半导体结构的制造方法和半导体结构是由穆克军设计研发完成，并于2021-07-19向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体结构的制造方法和半导体结构在说明书摘要公布了：本发明实施例提供一种半导体结构的制造方法和半导体结构，制造方法包括：提供基底；形成下层介质层；形成第一下导电柱、第二下导电柱和第三下导电柱；第一下导电柱位于阵列区，第二下导电柱位于外围区，第三下导电柱位于核心区；形成位于上层介质层，上层介质层露出第一下导电柱的顶面、第二下导电柱的顶面以及第三下导电柱的部分顶面；形成位于上层介质层内的第一上导电柱、第二上导电柱和第三上导电柱；第三上导电柱与第三下导电柱构成第三导电柱；第三下导电柱的顶面面积大于第三上导电柱的顶面面积。本发明实施例能够优化半导体结构的制造工艺并提升半导体结构的性能。

本发明授权半导体结构的制造方法和半导体结构在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的制造方法，所述半导体结构包括阵列区、外围区和核心区，其特征在于，包括： 提供基底； 形成位于所述基底上的下层介质层； 利用掩模版刻蚀所述下层介质层，以形成位于所述下层介质层中的第一通孔、第二通孔和第三通孔； 形成填充所述第一通孔的第一下导电柱、填充第二通孔的第二下导电柱以及填充第三通孔的第三下导电柱，所述第一下导电柱、所述第二下导电柱和所述第三下导电柱在同一步骤中形成； 所述第一下导电柱位于所述阵列区，第二下导电柱位于所述外围区，所述第三下导电柱位于所述核心区； 形成位于所述下层介质层上的上层介质层，所述上层介质层露出所述第一下导电柱的顶面、所述第二下导电柱的顶面以及所述第三下导电柱的部分顶面； 形成位于所述上层介质层内的第一上导电柱、第二上导电柱和第三上导电柱；其中，所述第一上导电柱与所述第一下导电柱构成第一导电柱；所述第二上导电柱与所述第二下导电柱构成第二导电柱；所述第三上导电柱与所述第三下导电柱构成第三导电柱；所述第三下导电柱的顶面面积大于所述第三上导电柱的顶面面积。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人长鑫存储技术有限公司，其通讯地址为：230601 安徽省合肥市经济技术开发区空港工业园兴业大道388号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。