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龙图腾网获悉厦门乾照光电股份有限公司申请的专利一种通孔式垂直结构LED芯片及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115663082B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211157163.1，技术领域涉及：H10H20/814；该发明授权一种通孔式垂直结构LED芯片及其制作方法是由杨克伟;曲晓东;江土堆;罗桂兰;尤翠萍;赵斌;陈凯轩设计研发完成，并于2022-09-22向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种通孔式垂直结构LED芯片及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种通孔式垂直结构LED芯片及其制作方法，通过：在所述发光台面设置所述第二金属反射镜、电流阻挡层，使所述集成金属层层叠于所述第二金属反射镜及电流阻挡层背离所述外延叠层的一侧表面，并通过所述介质型DBR反射镜覆盖所述集成金属层、第二金属反射镜以及电流阻挡层；从而通过所述介质型DBR反射镜作为所述第二金属反射镜以及电流阻挡层的反射结构，实现了LED芯片发光台面的补充反射。其次，所述介质型DBR反射镜嵌入所述通孔侧壁作为所述第一金属反射镜与所述外延叠层之间的绝缘层的同时，通过所述DBR反射镜结合所述第一金属反射镜，极大地提升了LED芯片的发光效率。

本发明授权一种通孔式垂直结构LED芯片及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种通孔式垂直结构LED芯片，其特征在于，包括： 基板及设置于所述基板上方的键合层、第一金属反射镜、介质型DBR反射镜、第二金属反射镜、电流阻挡层以及外延叠层；所述外延叠层至少包括沿第一方向依次堆叠的第二型半导体层、有源区以及第一型半导体层，且所述外延叠层沿所述第二型半导体层的部分表面刻蚀至所述第一型半导体层的部分表面形成通孔和发光台面；第一方向垂直于所述基板，并由所述基板指向所述外延叠层； 其中，所述第二金属反射镜、电流阻挡层分别设置于所述发光台面； 集成金属层层叠于所述第二金属反射镜及电流阻挡层背离所述外延叠层的一侧表面，且所述集成金属层设有用于电连接的裸露面； 所述介质型DBR反射镜覆盖所述集成金属层、第二金属反射镜以及电流阻挡层，并延伸至所述通孔侧壁； 所述第一金属反射镜通过嵌入所述通孔的方式形成于所述介质型DBR反射镜的表面； 所述基板与所述第一金属反射镜通过所述键合层形成一体。

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