中材人工晶体研究院有限公司;北京中材人工晶体研究院有限公司刘巨澜获国家专利权
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龙图腾网获悉中材人工晶体研究院有限公司;北京中材人工晶体研究院有限公司申请的专利一种晶体的端面研抛方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115771066B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310003385.6，技术领域涉及：B24B1/00；该发明授权一种晶体的端面研抛方法是由刘巨澜;姜秀丽;姜继昌;张璇设计研发完成，并于2023-01-03向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种晶体的端面研抛方法在说明书摘要公布了：本申请实施例提供了一种晶体的端面研抛方法，包括：将多个所述晶体沿所述晶体的长度方向和或宽度方向阵列排布并粘接形成所述晶体组块；将所述晶体组块放置于游星轮的工作孔内；将所述游星轮放入研抛机中对所述晶体组块进行研磨、抛光至预设高度。本申请中，由于单个晶体待加工截面积过小且重心较高，并且晶体与工作孔间配合存在间隙，晶体在研抛的过程中容易发生倾斜，造成较大的研抛精度误差，通过将多个晶体沿晶体长度方向或宽度方向阵列排布并粘接的方式，形成截面积较大的晶体组块，便于与工作孔配合，不易发生倾斜，提高研抛精度，同时，游星轮的每个工作孔中容纳多个晶体，增加了研抛效率。
本发明授权一种晶体的端面研抛方法在权利要求书中公布了：1.一种晶体的端面研抛方法，其特征在于，包括： 将多个所述晶体100沿所述晶体100的长度方向和或宽度方向阵列排布并粘接形成晶体组块200； 将所述晶体组块200放置于游星轮300的工作孔310内； 将所述游星轮300放入研抛机中对所述晶体组块200进行研磨、抛光至预设高度； 将多个所述晶体100沿所述晶体100的长度方向和或宽度方向阵列排布并粘接形成所述晶体组块200之前还包括以下步骤：检测所述晶体100非加工面的衍射角度正负偏差，所述晶体100以同一晶面正衍射偏差朝向一致的方向排列形成所述晶体组块200，或者所述晶体100以同一晶面负衍射偏差朝向一致的方向排列形成所述晶体组块200；其中，所述晶体组块200中的晶体100的同一晶面衍射角度为正偏差的一侧与另一晶体100的同一晶面衍射角度为负偏差的一侧进行交替排列。
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