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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利半导体结构的形成方法及半导体结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115802882B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111060919.6，技术领域涉及：H10N97/00；该发明授权半导体结构的形成方法及半导体结构是由刘志拯设计研发完成，并于2021-09-10向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体结构的形成方法及半导体结构在说明书摘要公布了：本公开提供一种半导体结构的形成方法及半导体结构，半导体结构的形成方法包括，提供初始结构，初始结构包括衬底及介质层；形成导电沟槽，导电沟槽的底面距离衬底的第二侧面第一间距；形成导电孔，导电孔自介质层的顶面延伸到衬底的第二侧面；形成导电柱，导电柱填充导电孔；形成电感结构，电感结构填充导电沟槽，电感结构在衬底上的投影被设置为以导电柱在衬底上的投影为电感中心，环绕电感中心的螺旋结构；形成电感引出结构。本公开通过形成环绕导电柱的电感结构，在导电柱中有电流通过时，电感结构感应到导电柱中的电流能够产生电感，无需在半导体结构中集成无源器件，可以进一步减小半导体结构的尺寸。

本发明授权半导体结构的形成方法及半导体结构在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于， 所述半导体结构的形成方法包括： 提供初始结构，所述初始结构包括衬底以及设置在所述衬底上的介质层，所述介质层设置在所述衬底的第一侧，所述介质层的底面和所述衬底的第一侧面连接； 形成导电沟槽，所述导电沟槽自所述介质层的顶面向所述衬底的第二侧面延伸，所述导电沟槽暴露出部分所述介质层以及部分所述衬底，且所述导电沟槽的底面距离所述衬底的第二侧面第一间距； 形成导电孔，所述导电孔自所述介质层的顶面延伸到所述衬底的第二侧面； 形成导电柱，所述导电柱填充所述导电孔； 形成电感结构，所述电感结构填充所述导电沟槽，其中，所述电感结构在所述衬底上的投影被设置为以所述导电柱在所述衬底上的投影为电感中心，环绕所述电感中心的螺旋结构； 形成电感引出结构，所述电感引出结构覆盖所述介质层的顶面暴露出的所述导电柱和所述电感结构； 其中，所述导电柱用于互连的硅穿孔结构，所述电感结构和所述导电柱的最小距离小于所述硅穿孔结构设计的间距。

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