深圳市威兆半导体股份有限公司李伟聪获国家专利权
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龙图腾网获悉深圳市威兆半导体股份有限公司申请的专利半导体器件的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115831728B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211442458.3，技术领域涉及：H01L21/265；该发明授权半导体器件的制造方法是由李伟聪;文雨;姜春亮设计研发完成，并于2022-11-17向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件的制造方法在说明书摘要公布了：本申请公开了一种半导体器件的制造方法，该半导体器件的制造方法包括提供一正面形成有器件结构的第一晶圆；对第一晶圆依次进行背面减薄、背面离子注入、激光退火和背面金属层沉积，得到第二晶圆；对第二晶圆依次进行划片和贴片，得到若干半导体器件；对若干半导体器件进行热退火处理。本方案可以避免背面金属层在热退火过程中被氧化。
本发明授权半导体器件的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括: 提供一正面形成有器件结构的第一晶圆； 对所述第一晶圆依次进行背面减薄、背面离子注入、激光退火和背面金属层沉积，得到第二晶圆，所述背面离子注入包括背面硼离子注入和或背面磷离子注入，所述背面离子注入的深度为1um~2um，所述激光退火采用的激光波长为500nm~600nm； 对所述第二晶圆依次进行划片和贴片，得到若干半导体器件； 在具有氮气的氛围下，对若干所述半导体器件进行低温退火处理，所述低温退火处理在贴片后通过锡膏覆盖半导体器件的背面金属层的情况下进行，所述低温退火处理的退火温度为380℃~400℃，所述低温退火的退火时长为30min。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人深圳市威兆半导体股份有限公司，其通讯地址为：518000 广东省深圳市南山区桃源街道福光社区留仙大道3370号南山智园崇文园区3号楼1301；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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