上海积塔半导体有限公司田浩然获国家专利权
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龙图腾网获悉上海积塔半导体有限公司申请的专利一种芯片失效位置的定位方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115831790B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211447970.7，技术领域涉及：H01L21/66；该发明授权一种芯片失效位置的定位方法是由田浩然;蒋庆红;罗俊一;务林凤设计研发完成，并于2022-11-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种芯片失效位置的定位方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种芯片失效位置的定位方法，所述定位方法包括：S1，提供一待测的样品芯片，所述样品芯片包括功能单元区及外围布线区，所述外围布线区位于所述功能单元区的外周；S2，去除所述样品芯片位于所述功能单元区内的背面金属层；S3，基于失效点定位系统对所述样品芯片执行失效定位测试；S4，依据所述失效定位测试的测试结果，得到功能单元区失效点的位置坐标，完成定位。本发明提供的芯片失效位置的定位方能够解决现有芯片失效位置的定位方法中存在的与正面金属层相关的失效点位无法被检测到、高压条件下的失效点位无法被定位的问题。
本发明授权一种芯片失效位置的定位方法在权利要求书中公布了：1.一种芯片失效位置的定位方法，其特征在于，所述定位方法包括： S1，提供一待测的样品芯片，所述样品芯片包括功能单元区及外围布线区，所述外围布线区位于所述功能单元区的外周； S2，去除所述样品芯片位于所述功能单元区内的背面金属层，保留所述外围布线区内的背面金属层；其中，在执行S2时，去除所述样品芯片位于所述功能单元区内的背面金属层的方法包括：于所述样品芯片的背面形成具有开口图形的掩膜层，所述掩膜层暴露出所述样品芯片位于所述功能单元区内的背面金属层；基于所述掩膜层刻蚀去除所述背面金属层； S3，基于失效点定位系统对所述样品芯片执行失效定位测试；其中，所述外围布线区用于将所述样品芯片与所述失效点定位系统连接； S4，依据所述失效定位测试的测试结果，得到功能单元区失效点的位置坐标，完成定位。
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