合肥芯智华光子科技有限公司朱赟获国家专利权
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龙图腾网获悉合肥芯智华光子科技有限公司申请的专利一种铌酸锂薄膜MMI起偏分束器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115857091B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211631711.X，技术领域涉及：G02B6/10；该发明授权一种铌酸锂薄膜MMI起偏分束器是由朱赟设计研发完成，并于2022-12-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种铌酸锂薄膜MMI起偏分束器在说明书摘要公布了：本申请提供一种铌酸锂薄膜MMI起偏分束器，包括：波导层、波导保护层、硅基底；波导层包括：质子交换波导、MMI、过渡波导，它们集成于同一铌酸锂薄膜芯片上；过渡波导为双层锥形结构，满足绝热传输条件，用于质子交换波导与MMI的耦合；MMI包括：输入波导单元、多模干涉区、输出波导单元；与多模干涉区连接的输入输出波导均采用锥形结构，满足绝热传输条件；本发明解决了质子交换光波导与MMI之间的高效耦合的问题，并实现起偏分束的功能。
本发明授权一种铌酸锂薄膜MMI起偏分束器在权利要求书中公布了：1.一种铌酸锂薄膜MMI起偏分束器，包括： 硅基底、波导保护层、波导层； 所述波导层包括质子交换波导、MMI、过渡波导； 所述波导层集成于同一铌酸锂薄膜芯片上； 过渡波导材料采用氮氧化硅，折射率在氧化硅层和波导层的折射率之间调控； 波导设计为双层锥形结构； 下层锥形波导宽端与质子交换波导对接，两波导厚度一致，宽度宽于质子交换波导宽度，尖端部分覆盖于MMI第一输入锥形波导； 上层锥形波导宽端与下层锥形波导宽端的宽度一致，波导尖端截止于MMI第一输入锥形波导处； 上层锥形波导左侧覆盖于质子交换波导上； 锥形结构的设计满足绝热传输条件。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人合肥芯智华光子科技有限公司，其通讯地址为：230000 安徽省合肥市蜀山区南岗镇孔雀台路2899号联东U谷合肥高新国际企业港3-02#；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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