中国科学院合肥物质科学研究院王晓彧获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院合肥物质科学研究院申请的专利一种基于三维通孔结构的核电池及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115862920B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211392693.4，技术领域涉及：G21H1/06；该发明授权一种基于三维通孔结构的核电池及其制备方法是由王晓彧;韩运成;张佳辰;何厚军;任雷;张思纬;李桃生设计研发完成，并于2022-11-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种基于三维通孔结构的核电池及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开一种基于三维通孔结构的核电池及其制备方法，所述核电池包括三维通孔PIN结半导体换能单元、放射源和电极层；所述单元自上而下依次为：P型半导体层、本征半导体层和N型半导体层；放射源填充在本征半导体通孔中，P型半导体通孔和N型半导体通孔中填充电绝缘材料，所述方法包括：在半导体衬底上得PIN结构，刻蚀得三维通孔阵列；在所述阵列底部制金属种子层，在N型半导体通孔中填充导电材料；在本征半导体通孔中填充放射源材料，在P型半导体通孔中填充电绝缘材料，在N型半导体通孔中将上述填充的导电材料转换为电绝缘材料。本发明提高放射源衰变粒子在本征层内的能量沉积和放射源衰变能到电能的转换效率，实现高输出性能核电池的制备。
本发明授权一种基于三维通孔结构的核电池及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种基于三维通孔结构的核电池，其特征在于，核电池结构包括三维通孔PIN结半导体换能单元1、放射源2和电极层3； 所述三维通孔PIN结半导体换能单元1自上而下依次为：P型半导体层11、本征半导体层12和N型半导体层13；所述三维通孔PIN结半导体换能单元设置有贯穿P型半导体层11、本征半导体层12和N型半导体层13的三维通孔阵列；所述三维通孔阵列包括多个通孔，每个通孔贯穿P型半导体层11的部分为P型半导体通孔14，每个通孔贯穿本征半导体层12的部分为本征半导体通孔15，每个通孔贯穿N型半导体层13的部分为N型半导体通孔16；所述放射源2填充在本征半导体通孔15中，P型半导体通孔14和N型半导体通孔16中填充电绝缘材料4； 所述电极层包括顶部电极31和背电极32，在顶部电极31和背电极32之间夹设有所述三维通孔PIN结半导体换能单元1。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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