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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利一种半导体结构、半导体结构制作方法和存储器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115881687B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110996032.1，技术领域涉及：H01L23/528；该发明授权一种半导体结构、半导体结构制作方法和存储器是由吴双双设计研发完成，并于2021-08-27向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种半导体结构、半导体结构制作方法和存储器在说明书摘要公布了：本申请公开了一种半导体结构、半导体结构制作方法和存储器，半导体结构包括：基底包括层叠形成的衬底、第一隔离层、第一介质层和停止层；其中，在基底上形成第一接触孔，第一接触孔的孔口与停止层的上表面平齐；第一绝缘层和第一阻挡层在第一接触孔的内壁依次形成，第一接触结构设于第一接触孔内；保护层形成为覆盖第一接触结构的上表面；第二介质层和第二隔离层，第二介质层和第二隔离层在保护层上依次层叠形成；其中，在基底上形成第二接触孔，第二接触孔形成为贯穿第二介质层、第二隔离层和保护层，停止于第一接触结构；第二阻挡层和第二接触结构，第二阻挡层形成于第二接触孔的内壁，第二接触结构设于第二接触孔内。

本发明授权一种半导体结构、半导体结构制作方法和存储器在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括： 基底，所述基底包括层叠形成的衬底、第一隔离层、第一介质层和停止层；其中，在所述基底上形成第一接触孔，所述第一接触孔形成为由所述停止层延伸至所述衬底内，所述第一接触孔的孔口与所述停止层的上表面平齐； 第一绝缘层、第一阻挡层和第一接触结构，所述第一绝缘层和所述第一阻挡层在所述第一接触孔的内壁依次形成，所述第一接触结构设于所述第一接触孔内； 电接触结构，位于所述基底中，所述电接触结构的上表面与所述停止层的上表面齐平； 保护层，所述保护层形成为覆盖所述第一接触结构的上表面，所述保护层位于覆盖所述电接触结构的上表面，所述保护层的材料为钽； 第二介质层和第二隔离层，所述第二介质层和所述第二隔离层在所述保护层上依次层叠形成；其中，在所述基底上形成第二接触孔，所述第二接触孔形成为贯穿所述第二介质层、所述第二隔离层和所述保护层，停止于所述第一接触结构； 第二阻挡层和第二接触结构，所述第二阻挡层形成于所述第二接触孔的内壁，所述第二接触结构设于所述第二接触孔内； 其中，所述第二接触结构还位于所述电接触结构上，所述第二阻挡层与所述电接触结构的上表面的所述保护层接触。

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