长鑫存储技术有限公司庄凌艺获国家专利权
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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利半导体结构及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115910914B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110906214.5，技术领域涉及：H01L21/768；该发明授权半导体结构及其制造方法是由庄凌艺设计研发完成，并于2021-08-09向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种半导体结构及其制造方法，所述半导体结构的制造方法包括如下步骤：提供衬底晶圆，所述衬底晶圆具有相对设置的第一表面及第二表面，所述衬底晶圆第一表面具有向所述衬底晶圆内部延伸的过孔；采用激光聚焦方法在所述衬底晶圆内形成空隙结构；在所述过孔内形成硅通孔结构，所述硅通孔结构的至少部分侧面被所述空隙结构包围；在所述衬底晶圆第一表面制作器件。本发明的优点在于，能够在形成所述空隙结构时利用激光聚焦方法自然形成密闭的空隙结构，以保持空隙结构的设计图案，从而保证硅通孔结构应力释放效果，增大硅通孔结构周围不受内应力影响区域的面积，以增加晶体管的排布数量，提高半导体结构的性能。
本发明授权半导体结构及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的制造方法，其特征在于，包括： 提供衬底晶圆，所述衬底晶圆具有相对设置的第一表面及第二表面，所述衬底晶圆第一表面具有向所述衬底晶圆内部延伸的过孔； 采用激光聚焦方法在所述衬底晶圆内形成空隙结构，通过调整激光的参数来调整所述空隙结构距离所述衬底晶圆第一表面的设定距离； 在所述过孔内形成硅通孔结构，所述硅通孔结构的至少部分侧面被所述空隙结构包围； 在所述衬底晶圆第一表面制作器件。
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