立芯精密智造(昆山)有限公司叶义军获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉立芯精密智造(昆山)有限公司申请的专利一种基于激光诱导热分解预切的超薄晶圆切割方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115939041B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211679231.0，技术领域涉及：H01L21/78；该发明授权一种基于激光诱导热分解预切的超薄晶圆切割方法是由叶义军;俞国庆;郝杰设计研发完成，并于2022-12-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种基于激光诱导热分解预切的超薄晶圆切割方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于激光诱导热分解预切的超薄晶圆切割方法，在超薄晶圆片研磨前，利用激光诱导热分解预切割技术在衬底表面上切割出第一凹槽，去除晶圆表面的金属物及介质层，有效的防止后期进行切割时造成分层现象；然后再进行半切割成型出第二凹槽，切至靠近衬底的中间位置；再在芯片表面贴膜保护，再到晶圆的背面通过IR光透射对位进行半切割，将硅晶圆半切但不切断，保持晶圆的整体结构性；切割完成后再进行研磨减薄，再进行扩膜处理，将芯片分裂开。本发明解决了现有100μm以下硅晶圆减薄切割过程中因表面应力过大而导致背蹦或背面隐裂问题，大幅提高了封装良品率。
本发明授权一种基于激光诱导热分解预切的超薄晶圆切割方法在权利要求书中公布了：1.一种基于激光诱导热分解预切的超薄晶圆切割方法，所述晶圆包括衬底层以及阵列设置在所述衬底层上的若干芯片，其特征在于：所述切割方法包括以下步骤： S1、晶圆背面粘贴第一胶膜； S2、利用激光诱导热分解技术按照设定切割路径对晶圆正面进行预切割，并于所述衬底层上形成第一凹槽； S3、沿所述设定切割路径对所述第一凹槽的槽底进行第一次半切割处理，切割至第一深度，且于所述第一凹槽的槽底形成第二凹槽，所述第一深度小于或等于所述衬底层厚度的一半； S4、晶圆正面粘贴第二胶膜，覆盖住所述芯片； S5、撕除所述第一胶膜； S6、晶圆背面对准所述第二凹槽沿所述设定切割路径进行第二次半切割处理，切割至第二深度，所述第一深度与所述第二深度之和小于所述衬底层的总厚度； S7、晶圆背面进行减薄处理； S8、减薄处理后的表面上粘贴第三胶膜； S9、撕除所述第二胶膜； S10、对晶圆进行扩膜处理，实现芯片分离。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人立芯精密智造(昆山)有限公司，其通讯地址为：215300 江苏省苏州市昆山市锦溪镇百胜路399号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励