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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利半导体器件、其制备方法及半导体存储装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115942740B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110934967.7，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权半导体器件、其制备方法及半导体存储装置是由梅晓波设计研发完成，并于2021-08-16向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体器件、其制备方法及半导体存储装置在说明书摘要公布了：本公开实施例公开了半导体器件、其制备方法及半导体存储装置，包括：半导体衬底，多个字线沟槽，字线结构；字线沟槽包括第一字线沟槽和第二字线沟槽；第一字线沟槽在半导体衬底的正投影位于浅沟道隔离区位于半导体衬底的正投影内；第二字线沟槽在半导体衬底的正投影位于有源区在半导体衬底的正投影内；字线结构包括相互连接的第一字线结构部和第二字线结构部；第一字线结构部形成于第一字线沟槽中，第二字线结构部形成于第二字线沟槽中；其中，一字线结构部具有避让区域，避让区域的顶面与第二字线结构部的顶面齐平，并且避让区域中具有绝缘物质。

本发明授权半导体器件、其制备方法及半导体存储装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，其特征在于，包括： 半导体衬底，包括：浅沟道隔离区，以及由所述浅沟道隔离区界定出的若干个间隔排布的有源区； 多个字线沟槽，形成于所述半导体衬底中，并且所述字线沟槽与相应的有源区相交设置；其中，所述字线沟槽包括第一字线沟槽和第二字线沟槽；所述第一字线沟槽在所述半导体衬底的正投影位于所述浅沟道隔离区位于所述半导体衬底的正投影内；所述第二字线沟槽在所述半导体衬底的正投影位于所述有源区在所述半导体衬底的正投影内； 字线结构，埋置于所述字线沟槽中；其中，所述字线结构包括相互连接的第一字线结构部和第二字线结构部；所述第一字线结构部形成于所述第一字线沟槽中，所述第二字线结构部形成于所述第二字线沟槽中； 其中，所述第一字线结构部具有避让区域，所述避让区域的顶面与所述第二字线结构部的顶面齐平，并且所述避让区域中具有绝缘物质； 在垂直于所述字线结构的延伸方向上，所述第一字线结构部的截面具有凹陷区域；所述字线结构包括：栅极氧化层与字线，所述字线包括第一导电膜层和第二导电膜层；其中，所述第一导电膜层设置于所述字线沟槽的侧壁，且所述第一导电膜层位于所述第二导电膜层与所述栅极氧化层之间； 所述凹陷区域位于所述第一字线结构部中的第二导电膜层内；或者， 所述第一字线结构部中的第二导电膜层为实心结构；且所述第一字线结构部中，所述第二导电膜层的顶面低于所述第一导电膜层的顶面，以及所述第二导电膜层作为所述凹陷区域的底部，设置于所述字线沟槽的侧壁的所述第一导电膜层作为所述凹陷区域的侧壁。

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