上海深威科技有限公司韩凤芹获国家专利权
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龙图腾网获悉上海深威科技有限公司申请的专利集成散热结构的热电堆像元阵列芯片与驱动电路芯片获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115954350B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310122324.1，技术领域涉及：H01L25/16；该发明授权集成散热结构的热电堆像元阵列芯片与驱动电路芯片是由韩凤芹;全绍军;白淞设计研发完成，并于2023-02-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本集成散热结构的热电堆像元阵列芯片与驱动电路芯片在说明书摘要公布了：本发明提供了一种集成散热结构的热电堆像元阵列芯片与驱动电路芯片，包括：热电堆像元阵列芯片，热电堆像元阵列芯片中具体包括：第一热电偶与第二热电偶；第一热电偶与第二热电偶沿水平方向相对设置；驱动电路芯片，驱动电路芯片与第一热电偶和或第二热电偶沿竖直方向依次堆叠，且电性连接于驱动电路芯片上；第一金属层，形成于第一热电偶和第二热电偶与驱动电路芯片之间；第一散热结构，形成互连结构，设置于相邻的第一金属层之间的空隙中，且与第一金属层之间相互隔离。该技术方案解决了如何在减小热电堆像元阵列芯片与驱动电路芯片的集成电路的尺寸的同时，消除驱动电路芯片中不同区域的温度不均衡问题。
本发明授权集成散热结构的热电堆像元阵列芯片与驱动电路芯片在权利要求书中公布了：1.一种集成散热结构的热电堆像元阵列芯片与驱动电路芯片，其特征在于，包括： 热电堆像元阵列芯片，包括：第一热电偶与第二热电偶；所述第一热电偶与所述第二热电偶沿水平方向相对设置； 驱动电路芯片，所述驱动电路芯片与所述第一热电偶和或所述第二热电偶沿竖直方向依次堆叠，且所述热电堆像元阵列芯片电性连接于所述驱动电路芯片上； 第一金属层，所述第一金属层形成于所述第一热电偶和所述第二热电偶与所述驱动电路芯片之间，用于将所述热电堆像元阵列芯片与所述驱动电路芯片电性连接； 第一散热结构，形成于相邻的所述第一金属层之间的空隙中；其中，所述第一散热结构与所述第一金属层之间相互隔离；所述第一散热结构形成互连结构，以用于散发所述驱动电路芯片中的热量。
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