长鑫存储技术有限公司卢志远获国家专利权
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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利半导体结构的制造方法及半导体结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115955838B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310066664.7，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权半导体结构的制造方法及半导体结构是由卢志远设计研发完成，并于2023-01-12向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构的制造方法及半导体结构在说明书摘要公布了：本公开提供一种半导体结构的制造方法及半导体结构，半导体结构的制造方法包括：提供基底，包括衬底和覆盖于衬底的顶面的叠层结构，衬底包括第一有源区、存储阵列区和预设区域；去除覆盖于存储阵列区和预设区域的叠层结构，以暴露出衬底的部分顶面；形成导电层，导电层覆盖第一有源区的叠层结构以及存储阵列区和预设区域暴露出来的衬底；图形化叠层结构和导电层，以于第一有源区形成栅极，于预设区域形成电源线；形成互连结构，互连结构覆盖电源线的部分表面，以及覆盖第一有源区的第一源漏极。本公开设置一个互连结构即可将电源线和第一有源区连接；并且，由于电源线和栅极由相同工艺形成的导电层制成，简化工艺流程，提高了生产效率和良品率。
本发明授权半导体结构的制造方法及半导体结构在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的制造方法，其特征在于，包括： 提供基底，包括衬底和覆盖于所述衬底的顶面的叠层结构，所述衬底包括第一有源区、存储阵列区和预设区域； 去除覆盖于所述存储阵列区和预设区域的所述叠层结构，以暴露出所述衬底的部分顶面； 形成导电层，所述导电层覆盖第一有源区的所述叠层结构以及存储阵列区和预设区域暴露出来的所述衬底； 图形化所述叠层结构和所述导电层，以于所述第一有源区形成栅极，于所述预设区域形成电源线； 形成互连结构，所述互连结构覆盖所述电源线的部分表面，以及覆盖所述第一有源区的第一源漏极。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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