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龙图腾网获悉腾讯科技(深圳)有限公司申请的专利量子比特组件、量子比特组件制备方法、芯片及设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115968251B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111172563.5，技术领域涉及：H10N60/82；该发明授权量子比特组件、量子比特组件制备方法、芯片及设备是由邹沉积;郑亚锐;王辉设计研发完成，并于2021-10-08向国家知识产权局提交的专利申请。

本量子比特组件、量子比特组件制备方法、芯片及设备在说明书摘要公布了：本申请关于一种量子比特组件、量子比特组件制备方法、芯片及设备，涉及微纳加工技术领域。量子比特组件包括：衬底、超导电路层、凸点下金属层以及焊点；所述超导电路层位于所述衬底上；所述凸点下金属层位于所述超导电路层上，且所述凸点下金属层与所述超导电路层形成超导连接；所述凸点下金属层的材质为金属铌；所述焊点位于所述凸点下金属层上，且所述焊点与所述凸点下金属层形成超导连接。由于铌表面的氧化层相比于其他超导材料表面的氧化层更容易去除，从而和焊点之间形成更良好的超导接触，因此，上述方案可以极大的提高倒装焊超导量子芯片中两个平面超导量子芯片之间的超导性能，进而提高倒装焊超导量子芯片的性能。

本发明授权量子比特组件、量子比特组件制备方法、芯片及设备在权利要求书中公布了：1.一种量子比特组件制备方法，其特征在于，所述方法包括： 在衬底上制备超导电路层；所述超导电路层的材质为铝； 在所述衬底上制备覆盖所述超导电路层的光刻胶； 通过光刻显影的方式去除所述超导电路层上表面的第一目标区域的光刻胶；所述第一目标区域是凸点下金属层所在的区域； 在去除所述第一目标区域的光刻胶之后，通过热板对所述衬底上剩余的光刻胶进行第一时长的烘烤，以及，对第一目标区域及所述衬底上剩余的光刻胶进行第二时长的离子束刻蚀；所述第一时长所在的时长区间为1分钟至2分钟；所述第二时长的范围为2分钟至3分钟；所述第二时长是基于刻蚀掉铝材质表面的氧化层的刻蚀时间设置的，所述刻蚀时间是通过测量铝材质在不同刻蚀时间后的膜条电阻的结果推算出的； 在所述光刻胶以及所述第一目标区域上制备金属铌膜层； 去除所述光刻胶以及所述光刻胶上层的金属铌膜层，获得位于所述超导电路层上表面的所述凸点下金属层；所述凸点下金属层与所述超导电路层形成超导连接； 在所述凸点下金属层的上表面制备焊点，获得用于倒装焊超导量子芯片的量子比特组件；所述焊点与所述凸点下金属层形成超导连接。

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