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龙图腾网获悉中电科思仪科技股份有限公司申请的专利一种可实现双模块存储阵列的存储系统及方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115981571B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310079389.2，技术领域涉及：G06F3/06；该发明授权一种可实现双模块存储阵列的存储系统及方法是由赵金龙;顾军;李晓慧;徐健;蒋国庆;成华强;王志恒;杜磊磊;关伟强设计研发完成，并于2023-01-17向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种可实现双模块存储阵列的存储系统及方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种可实现双模块存储阵列的存储系统及方法，涉及数据存储处理技术领域。该存储系统包括采集端和存储端；采集端包括核心FPGA和传输接口；存储端包括若干个存储模块，存储模块包括主控FPGA、DDR4和SSD；核心FPGA接收输入数据，对接收的数据进行数据分发控制，通过传输接口传输至存储模块；存储模块接收采集端发送的数据，根据工作模式进行数据存储；主控FPGA从传输接口输出端接收到采集端传输过来的数据，并控制数据缓存进入DDR4，当SSD中可以接收数据时，主控FPGA控制从DDR4的数据缓存输出数据至SSD。本发明可实现数据存储全路径上的高速率数据处理。

本发明授权一种可实现双模块存储阵列的存储系统及方法在权利要求书中公布了：1.一种可实现双模块存储阵列的存储系统，其特征在于，包括采集端和存储端；采集端包括核心FPGA和传输接口；存储端包括若干个存储模块，存储模块包括主控FPGA、DDR4和SSD；核心FPGA接收输入数据，对接收的数据进行数据分发控制，通过传输接口传输至存储模块；存储模块接收采集端发送的数据，根据工作模式进行数据存储；主控FPGA从传输接口输出端接收到采集端传输过来的数据，并控制数据缓存进入DDR4，当SSD中可以接收数据时，主控FPGA控制从DDR4的数据缓存输出数据至SSD； 根据系统工作模式对接收的数据进行数据分发控制，系统工作模式包括单存储模块模式和双存储模块模式； 当系统工作在单存储模块模式下时，核心FPGA控制数据依次向存储模块传输，当当前存储模块达到SSD总存储空间阈值时，核心FPGA控制数据从当前存储模块切换向下一存储模块存储； 当系统工作在双存储模块模式下时，利用核心FPGA将数据同时输出给在线工作的双存储模块组合，所述的在线工作的双存储模块组合，首先从全部存储模块中选取两个存储模块，然后用选定的两个存储模块组成在线工作的双存储模块组合； 对于双存储模块工作方式，当在线工作的双存储模块组合对应的两个传输接口接收数据信号同时为1时，便向存储端传输数据，当需要停止数据存储过程时，首先停止采集端数据传输，经过时间延时后，停止存储端的数据接收，保证两个存储模块中的存储数据量相同。

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