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龙图腾网获悉湖南红太阳光电科技有限公司申请的专利一种硼扩散工艺获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115995381B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310132685.4，技术领域涉及：H01L21/223；该发明授权一种硼扩散工艺是由邹臻峰;赵志然;谢成;郭良全;郭艳;龙辉;徐国健设计研发完成，并于2023-02-17向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种硼扩散工艺在说明书摘要公布了：本发明公开了一种硼扩散工艺，包括以下步骤：S1：将装有硅片的小舟放进炉管内；S2：将炉管抽真空；S3：检漏；S4：通入氮气和氧气，进行前氧化工艺；S5：通入氮气、氧气和扩散硼源进行扩散；S6：通入氮气，进行升温扩散；S7：在恒温条件下，通入氮气、氧气和扩散硼源；S8：通入氮气和氧气，升温，进行有氧推进；S9：通入氧气，继续升温，进行后氧化工艺；S10：通入大氧和小氧进行混合氧化；S11：通入氮气和大氧，降温；S12：破真空至常压；S13：出舟。本发明具有原理简单、工艺温度低且BRL层厚度低等优点，大幅度缩短了工艺时间，增加了生产产能。

本发明授权一种硼扩散工艺在权利要求书中公布了：1.一种硼扩散工艺，其特征在于，包括以下步骤： 步骤S1：将装有硅片的小舟放进炉管内，炉管内温度为750℃～780℃； 步骤S2：将炉管进行抽真空，同时斜率升温至790℃～850℃，升温时间为15～18min； 步骤S3：检漏； 步骤S4：前氧化，通入氮气和氧气，炉管内压力为100～300mbar，温度为790℃～850℃，进行前氧化工艺；其中，氧气流量为1500～3000sccm，氮气流量为0～1000sccm，前氧化工艺时间为4～8min； 步骤S5：通源沉积，通入氮气、氧气和扩散硼源进行扩散，炉管内压力为100～300mbar，温度为790℃～850℃； 步骤S6：通入氮气，同时升温至860～930℃，进行升温扩散，升温时间为6～10min； 步骤S7：在860～930℃恒温条件下，通入氮气、氧气和扩散硼源进行扩散；通入气体的时长为30～60s，氧气与扩散硼源的流量比值＞10：1，扩散硼源体积与总气体体积的比值≤2.5%； 步骤S8：通入氮气和氧气，升温至930～980℃，进行有氧化推进； 步骤S9：通入氧气，炉管内温度升温至1000～1020℃，炉管内压力升高为400～800mbar，进行后氧化工艺； 步骤S10：通入大氧和小氧，炉管内温度为1000～1020℃，炉管内压力为400～800mbar，进行混合氧化； 步骤S11：通入氮气和大氧，同时工艺进行降温至800℃； 步骤S12：破真空至常压； 步骤S13：出舟。

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