深圳新声半导体有限公司请求不公布姓名获国家专利权
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龙图腾网获悉深圳新声半导体有限公司申请的专利体声波BAW谐振器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115996036B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310092168.9，技术领域涉及：H03H9/17；该发明授权体声波BAW谐振器是由请求不公布姓名设计研发完成，并于2023-01-17向国家知识产权局提交的专利申请。
本体声波BAW谐振器在说明书摘要公布了：本申请提供一种体声波BAW谐振器，包括：基板；压电层，设置在基板的上方；第一电极，设置在压电层的下方，包括彼此间隔的第一部分和第二部分；第二电极，设置在压电层的上方；第一介电层、第二介电层和第三介电层，按从压电层到基板的顺序依次设置在基板和压电层之间；空腔，位于第一电极的第一部分的下方；键合金属层，设置在第三介电层和基板之间；以及地垫金属层，设置在压电层的上方，并与键合金属层电连接。
本发明授权体声波BAW谐振器在权利要求书中公布了：1.一种体声波BAW谐振器，其特征在于，包括： 基板； 压电层，设置在所述基板的上方； 第一电极，设置在所述压电层的下方，并且包括彼此间隔的第一部分和第二部分； 第二电极，设置在所述压电层的上方； 第一介电层、第二介电层和第三介电层，按照从所述压电层到所述基板的顺序依次设置在所述基板和所述压电层之间； 空腔，设置在所述第一电极的第一部分的下方； 第一接地通孔，设置在所述第二介电层和所述第三介电层中，并暴露所述第一电极的第二部分的第一表面； 键合金属层，设置在所述第三介电层和所述基板之间，且所述键合金属层的一部分设置在所述第一接地通孔中； 第二接地通孔，设置在所述压电层中，并暴露所述第一电极的第二部分的第二表面；和 地垫金属层，设置在所述压电层的上方，且所述地垫金属层的一部分设置在所述第二接地通孔中；其中，所述地垫金属层位于所述第二接地通孔中的部分与所述键合金属层位于所述第一接地通孔中的部分通过所述第一电极的第二部分电连接。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人深圳新声半导体有限公司，其通讯地址为：518109 广东省深圳市福田区梅林街道梅都社区中康路136号深圳新一代产业园3栋801；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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