长鑫存储技术有限公司张书浩获国家专利权
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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利半导体结构及其制作方法、存储器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115996567B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211139824.8，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权半导体结构及其制作方法、存储器是由张书浩;李宁设计研发完成，并于2022-09-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其制作方法、存储器在说明书摘要公布了：本公开实施例提出了一种半导体结构及其制作方法、存储器，其中，半导体结构包括：多个有源区，沿相交的第一方向和第二方向呈阵列排布且被隔离结构间隔开；位线选择结构，包括位于相互相邻的四个有源区上的第一栅极、第二栅极、第三栅极和第四栅极，以及位于隔离结构上的至少一条连接线；第一栅极的一个端部与第二栅极的一个端部连接，第三栅极的一个端部与第四栅极的一个端部连接，连接线连接第一栅极和第三栅极对应的两个端部和或所述第二栅极和第四栅极对应的两个端部；多个接触结构；每一接触结构位于一栅极的两侧中靠近连接线的一侧且与一有源区连接，接触结构在有源区所在平面的正投影处于相应有源区中靠近连接线的位置处。
本发明授权半导体结构及其制作方法、存储器在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括： 多个有源区，沿相交的第一方向和第二方向呈阵列排布且被隔离结构间隔开；所述第一方向与所述有源区延伸的方向平行； 位线选择结构，包括均沿所述第二方向延伸且分别位于所述多个有源区中相互相邻的四个有源区上的第一栅极、第二栅极、第三栅极和第四栅极，以及沿所述第一方向延伸且位于所述隔离结构上的至少一条连接线；所述第一栅极的一个端部与第二栅极的一个端部连接，所述第三栅极的一个端部与第四栅极的一个端部连接，所述连接线连接所述第一栅极和所述第三栅极对应的两个端部和或所述第二栅极和所述第四栅极对应的两个端部； 多个接触结构；每一所述接触结构位于一栅极的两侧中靠近所述连接线的一侧且与一所述有源区连接，所述接触结构在所述有源区所在平面的正投影处于相应所述有源区中靠近所述连接线的位置处。
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