华灿光电(苏州)有限公司田艳红获国家专利权
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龙图腾网获悉华灿光电(苏州)有限公司申请的专利改善可靠性的发光二极管及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116014042B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310002999.2，技术领域涉及：H10H20/816；该发明授权改善可靠性的发光二极管及其制备方法是由田艳红;马欢;林云真;王顺;过靖;尹灵峰;王江波;梅劲设计研发完成，并于2023-01-03向国家知识产权局提交的专利申请。
本改善可靠性的发光二极管及其制备方法在说明书摘要公布了：本公开提供了一种改善可靠性的发光二极管及其制备方法，属于光电子制造技术领域。该发光二极管包括衬底、外延层、电流阻挡层、透明导电层和第一电极，所述外延层和所述电流阻挡层依次层叠在所述衬底的承载面上；所述电流阻挡层远离所述衬底的表面具有凹槽，所述透明导电层位于所述外延层远离所述衬底的表面、所述电流阻挡层的表面和所述凹槽内；所述第一电极位于透明导电层上，且至少部分位于所述凹槽内。本公开能提升电极与透明导电层的接触面积，改善电极与透明导电层的连接可靠性。
本发明授权改善可靠性的发光二极管及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种发光二极管，其特征在于，所述发光二极管包括衬底10、外延层20、电流阻挡层30、透明导电层40和第一电极51，所述外延层20包括依次层叠的第一半导体层21、发光层22和第二半导体层23，所述外延层20和所述电流阻挡层30依次层叠在所述衬底10的承载面上； 所述电流阻挡层30远离所述衬底10的表面具有凹槽31，所述透明导电层40位于所述外延层20远离所述衬底10的表面、所述电流阻挡层30的表面和所述凹槽31内，所述凹槽31的深度小于所述电流阻挡层30的厚度； 所述第一电极51位于透明导电层40上，且至少部分位于所述凹槽31内。
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