长鑫存储技术有限公司吴公一获国家专利权
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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利半导体结构及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116033739B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111242965.8，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权半导体结构及其制造方法是由吴公一;吴小飞;徐亚超设计研发完成，并于2021-10-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其制造方法在说明书摘要公布了：本申请实施例公开一种半导体结构及其制造方法，半导体结构的制造方法包括：在一基底上形成接触孔；在接触孔的表面形成第一掺杂层，并对第一掺杂层进行退火处理；在第一掺杂层上形成至少一层第二掺杂层，并对每一第二掺杂层进行退火处理；在第二掺杂层上形成第三掺杂层，以填满接触孔；其中，第二掺杂层的厚度大于第三掺杂层的厚度，第三掺杂层的厚度大于第一掺杂层的厚度。退火处理不仅能够修复第一掺杂层第二掺杂层内部的晶格失配和晶格缺陷问题，还能够改善第一掺杂层第二掺杂层的表面粗糙度，使第一掺杂层第二掺杂层的晶粒生长更加均匀，由此改善在形成第一掺杂层第二掺杂层后就出现封口问题，形成良好的填充效果。
本发明授权半导体结构及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的制造方法，其特征在于，包括： 在一基底上形成接触孔； 在所述接触孔的表面形成第一掺杂层，并对所述第一掺杂层进行退火处理； 在所述第一掺杂层上形成至少一层第二掺杂层，并对每一所述第二掺杂层进行退火处理； 在所述第二掺杂层上形成第三掺杂层，以填满所述接触孔； 其中，所述第二掺杂层的厚度大于所述第三掺杂层的厚度，所述第三掺杂层的厚度大于所述第一掺杂层的厚度。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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