江西兆驰半导体有限公司刘春杨获国家专利权
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龙图腾网获悉江西兆驰半导体有限公司申请的专利一种发光二极管隔离层及其制备方法、外延片及芯片获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116093212B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211648956.3，技术领域涉及：H10H20/01；该发明授权一种发光二极管隔离层及其制备方法、外延片及芯片是由刘春杨;吕蒙普;胡加辉;金从龙;顾伟设计研发完成，并于2022-12-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种发光二极管隔离层及其制备方法、外延片及芯片在说明书摘要公布了：本发明提供一种发光二极管隔离层及其制备方法、外延片及芯片，所述方法通过提供一生长所需的蓝宝石衬底，并将蓝宝石衬底进行氧化预处理，得到掺氧蓝宝石衬底；氧化预处理结束后，在掺氧蓝宝石衬底上制备AlN缓冲层；当AlN缓冲层生长完成后，通入氮气，并在第一预设条件下进行烘烤，得到烘烤后的缓冲层；在烘烤后的缓冲层上外延生长未掺杂的AlN隔离层；当未掺杂的AlN隔离层生长完成后，通入氢气，并在第二预设条件下进行烘烤，得到烘烤后的隔离层，在保证外延层的均匀性的同时，也保证了后续生长的GaN外延层晶体质量，达到了提高外延片的晶体质量的目的。
本发明授权一种发光二极管隔离层及其制备方法、外延片及芯片在权利要求书中公布了：1.一种发光二极管隔离层制备方法，其特征在于，所述方法包括： 提供一生长所需的蓝宝石衬底，并将所述蓝宝石衬底进行氧化预处理，得到掺氧蓝宝石衬底； 氧化预处理结束后，在所述掺氧蓝宝石衬底上制备AlN缓冲层； 当所述AlN缓冲层生长完成后，通入氮气，并在第一预设条件下进行烘烤，得到烘烤后的缓冲层； 在所述烘烤后的缓冲层上制备未掺杂的AlN隔离层； 当所述未掺杂的AlN隔离层生长完成后，通入氢气，并在第二预设条件下进行烘烤，得到烘烤后的隔离层。
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