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龙图腾网获悉美光科技公司申请的专利用于在存储器装置中执行扫描和读取的回写清除命令获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116110474B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211396950.1，技术领域涉及：G11C16/26；该发明授权用于在存储器装置中执行扫描和读取的回写清除命令是由J·S·麦克尼尔;S·帕塔萨拉蒂;K·K·姆奇尔拉;P·R·哈亚特;S·齐德日茨;V·莫斯基亚诺;J·菲兹帕特里克设计研发完成，并于2022-11-09向国家知识产权局提交的专利申请。

本用于在存储器装置中执行扫描和读取的回写清除命令在说明书摘要公布了：本申请涉及用于在存储器装置中执行扫描和读取的回写清除命令。一种方法包含：由存储器装置的控制逻辑从处理装置接收回写清除命令；响应于所述回写清除命令，使得页缓冲器对经配置为单层级单元的第一存储器单元执行双选通读取操作，所述双选通读取操作包含第一阈值电压下的软选通和第二阈值电压下的硬选通，所述第一阈值电压和所述第二阈值电压被感测到在所述第一存储器单元的阈值电压分布之间；使得所述页缓冲器确定在所述阈值电压分布内于所述第一第二阈值电压之间的阈值电压范围中检测到的一位值的数目；及响应于一位值的所述数目不满足阈值准则，使得在无来自所述处理装置的干预的情况下将所述第一存储器单元中的数据回写到经配置为高层级单元的第二存储器单元。

本发明授权用于在存储器装置中执行扫描和读取的回写清除命令在权利要求书中公布了：1.一种存储器装置，其包括： 一或多个存储器单元阵列，其包含经配置为单层级单元存储器的第一存储器单元和经配置为较高层级单元存储器的第二存储器单元； 一或多个页缓冲器，其与所述一或多个存储器单元阵列耦合；及 控制逻辑，其以操作方式与所述一或多个页缓冲器耦合，所述控制逻辑执行包括以下的操作： 从处理装置接收回写清除命令，所述回写清除命令识别多个所述第一存储器单元； 响应于所述回写清除命令，使得所述一或多个页缓冲器中的页缓冲器对所述多个所述第一存储器单元执行双选通读取操作，所述双选通读取操作包含第一阈值电压下的软选通和第二阈值电压下的硬选通，所述第一阈值电压和所述第二阈值电压被感测到在所述多个所述第一存储器单元的阈值电压分布之间； 使得所述页缓冲器确定在所述阈值电压分布内于所述第一阈值电压与所述第二阈值电压之间的阈值电压范围中检测到的一位值的数目；及 响应于一位值的所述数目不满足阈值准则，使得在无来自所述处理装置的干预的情况下执行将所述多个所述第一存储器单元中的数据回写到多个所述第二存储器单元。

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