长鑫存储技术有限公司刘翔获国家专利权
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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利半导体结构及掩膜板结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116133374B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110961840.4，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权半导体结构及掩膜板结构是由刘翔设计研发完成，并于2021-08-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及掩膜板结构在说明书摘要公布了：本申请实施例属于半导体制造技术领域，具体涉及一种半导体结构及掩膜板结构，用以解决相关技术中电容插塞与有源区之间的接触面积缩小，影响半导体结构性能的问题。衬底内具有有源区和多个平行且间隔的设置在衬底内的位线结构，多个字线结构平行且间隔的设置在衬底上，字线结构与位线结构相交，并围设成在衬底上阵列排布的多个网格，电容插塞位于网格内，电容插塞在衬底上的投影覆盖部分有源区，在平行于衬底表面的截面内，电容插塞的截面形状为弓形。电容插塞与位线结构之间具有一定距离的情况下，相比于矩形截面的电容插塞，弓形截面的电容插塞与有源区的接触面积增大，有利于提高半导体结构性能。
本发明授权半导体结构及掩膜板结构在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括： 衬底，所述衬底内具有有源区和字线结构，多个所述字线结构平行且间隔的设置在所述衬底内； 位线结构，多个所述位线结构平行且间隔的设置在所述衬底上，所述字线结构与所述位线结构相交，并围设成在所述衬底上阵列排布的多个网格； 电容插塞，位于所述网格内，所述电容插塞在所述衬底上的投影覆盖部分所述有源区，在平行于所述衬底表面的截面内，所述电容插塞的截面形状为弓形。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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