买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利半导体结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116133394B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111074102.4，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权半导体结构及其形成方法是由张魁设计研发完成，并于2021-09-14向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体结构及其形成方法在说明书摘要公布了：本申请实施例提供一种半导体结构及其形成方法，其中，所述半导体结构的形成方法包括：提供基底；所述基底包括半导体衬底和位于所述半导体衬底表面的阱区；所述阱区包括沿第一方向间隔排布的多个有源柱列，且每一所述有源柱列包括沿第二方向间隔排布的多个有源柱；其中，所述第一方向垂直于所述第二方向；至少刻蚀每一所述有源柱底部的阱区和部分厚度的半导体衬底，形成多个位线沟槽；在所述位线沟槽中，形成埋入式位线。

本发明授权半导体结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，所述方法包括： 提供基底；所述基底包括半导体衬底和位于所述半导体衬底表面的阱区；所述阱区包括沿第一方向间隔排布的多个有源柱列，且每一所述有源柱列包括沿第二方向间隔排布的多个有源柱；其中，所述第一方向垂直于所述第二方向； 至少刻蚀每一所述有源柱底部的阱区和部分厚度的半导体衬底，形成多个位线沟槽； 所述位线沟槽包括第一位线沟槽或第二位线沟槽；在所述第一位线沟槽或所述第二位线沟槽中沉积位线金属材料，形成埋入式位线； 所述方法还包括： 依次将每相邻的两个有源柱列，确定为一个有源柱组； 其中，位于所述第一位线沟槽中的所述埋入式位线，在所述有源柱组中沿所述第一方向相邻的两个有源柱的底部相互连通； 位于所述第二位线沟槽中的所述埋入式位线，在所述有源柱组中沿所述第一方向相邻的两个有源柱的底部相互独立； 任意相邻两个有源柱之间填充有第一绝缘材料；所述第一位线沟槽通过以下步骤形成： 沿第三方向，刻蚀每一所述有源柱组中的相邻两个所述有源柱列之间的所述第一绝缘材料，形成多个第一刻蚀凹槽；其中，所述第三方向、所述第一方向和所述第二方向两两相互垂直； 以所述第一刻蚀凹槽的底部为刻蚀起点，沿所述第三方向，刻蚀所述第一刻蚀凹槽底部的阱区和所述部分厚度的所述半导体衬底，并沿所述第一方向，刻蚀所述有源柱底部的阱区和所述部分厚度的所述半导体衬底，形成所述第一位线沟槽。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人长鑫存储技术有限公司，其通讯地址为：230000 安徽省合肥市经济技术开发区空港工业园兴业大道388号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。