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龙图腾网获悉电子科技大学申请的专利一种具有反向阻断能力的薄势垒GaN HEMT器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116207128B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310209979.2，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权一种具有反向阻断能力的薄势垒GaN HEMT器件是由周春华;廖志康;周琦;韩阳;柏鹏翔;吴桐;张波设计研发完成，并于2023-03-07向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种具有反向阻断能力的薄势垒GaN HEMT器件在说明书摘要公布了：本发明属于半导体技术领域，涉及一种具有反向阻断能力的薄势垒GaNHEMT器件。本发明中器件漏极分为两个部分，一部分是欧姆接触结构用于正向电流传导，另一部分是MIS结构用来实现反向阻断和减小反向泄漏电流。本发明采用了3‑6nm的薄AlGaN势垒层，避免了常规势垒中为实现零偏压时沟道2DEG的耗尽而刻蚀AlGaN势垒层造成刻蚀损伤。同时引入电荷恢复层来恢复薄势垒结构中的沟道2DEG密度，使器件具有较好的电流能力。本发明所提出的具有反向阻断能力的薄势垒GaNHEMT器件有着工艺简单，反向泄露电流小和耐压能力强等优点。

本发明授权一种具有反向阻断能力的薄势垒GaN HEMT器件在权利要求书中公布了：1.一种具有反向阻断能力的薄势垒GaNHEMT器件，自底向上依次包括层叠设置的衬底01、位于衬底01上方的GaN缓冲层02、位于GaN缓冲层02上方的GaN沟道层03、位于GaN沟道层03上方的AlGaN势垒层04；GaN沟道层03与AlGaN势垒层04构成异质结，在异质结界面形成2DEG；在AlGaN势垒层04上淀积电荷恢复层05，电荷恢复层05上刻蚀出所需的栅槽和漏槽；接着淀积介质层06，介质层06覆盖了两个槽的底部和侧壁以及电荷恢复层05整个上表面；在所述GaN沟道层03上表面右端具有漏极欧姆金属07，漏极欧姆金属07的侧面与AlGaN势垒层04和介质层06接触，漏槽与漏极欧姆金属07相邻但是中间间隔有介质层06；在所述GaN沟道层03的左端具有源极欧姆金属08，源极欧姆金属08的侧面与AlGaN势垒层04、电荷恢复层05以及介质层06接触，漏槽与源极欧姆金属08相邻但是中间间隔有电荷恢复层05和介质层06；在漏槽中淀积MIS漏金属10，且MIS漏金属10的一端还延伸至覆盖漏极欧姆金属07的上表面；在栅槽中淀积栅极金属09。

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