中国科学院福建物质结构研究所黄伟国获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院福建物质结构研究所申请的专利一种类脑晶体管存储器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116234324B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310158647.6，技术领域涉及：H10K10/46；该发明授权一种类脑晶体管存储器及其制备方法是由黄伟国;陈晓伟;冯诗语设计研发完成，并于2023-02-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种类脑晶体管存储器及其制备方法在说明书摘要公布了：本申请公开了一种类脑晶体管存储器及其制备方法，该晶体管为有机场效应晶体管，包括栅极、介电层、半导体层和电极，其中该介电层包含多重刺激响应型材料供体‑受体Stenhouse加合物DASA和聚合物，该半导体层包含有机半导体材料。本申请的类脑晶体管存储器能够实现可调控的多重存储特征行为，为开发智能存储设备提供了通用设计准则，在人工智能AI、数据加密、防伪等方面具有远大前景，此外还具有低电解风险、低漏电的效果。本申请的制备方法过程简便可控，反应条件温和，工业应用性强。
本发明授权一种类脑晶体管存储器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种类脑晶体管存储器，其特征在于，所述晶体管为有机场效应 晶体管，包括：栅极、介电层、半导体层和电极， 其中，所述介电层包含多重刺激响应型材料供体-受体Stenhouse加合 物DASA和聚合物，所述半导体层包含有机半导体材料， 所述电极包括源电极和漏电极； 所述DASA选自以下化合物中的至少一种： ， 所述介电层中，所述聚合物和所述DASA共混存在； 所述聚合物选自聚甲基丙烯酸甲酯、聚苯乙烯、聚乙烯醇、聚五氟苯酚中的至少一种； 所述DASA的质量百分含量为1-50wt%，基于所述DASA和所述聚合物的总质量计。
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