中国科学院微电子研究所殷华湘获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院微电子研究所申请的专利一种半导体器件及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116314281B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310157389.X，技术领域涉及：H10D62/17；该发明授权一种半导体器件及其制造方法是由殷华湘;赵朋;吴振华;张青竹;姚佳欣设计研发完成，并于2023-02-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体器件及其制造方法在说明书摘要公布了：本申请提供一种半导体器件及其制造方法，包括衬底和设置于衬底一侧的源极、漏极和沟道结构，衬底包括底部鳍片结构，沿着第一方向，底部栅极设置于底部鳍片结构的两侧，底部栅极沿着垂直于衬底所在平面的方向进行延伸并和顶部栅极连接，也就是说，通过在底部鳍片结构周围设置底部栅极，实现利用底部栅极对底部鳍片结构的导电控制，既可以增大半导体器件在开态时的导电电流，也可以降低半导体器件在闭态时的漏电流，此外，由于顶部栅极和底部栅极连接，沟道结构中的热量可以利用顶部栅极和底部栅极传导至衬底中，增强半导体器件的散热效果，提高最终制造得到的半导体器件的性能。
本发明授权一种半导体器件及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，其特征在于，所述半导体器件包括： 衬底； 设置于所述衬底一侧的源极、漏极和沟道结构，所述沟道结构位于所述源极和所述漏极之间，所述沟道结构包括多个纳米片形成的叠层； 所述衬底包括底部鳍片结构，在垂直于所述衬底所在平面的方向上，所述底部鳍片结构和所述沟道结构的投影交叠； 栅极，所述栅极包括顶部栅极和底部栅极，所述顶部栅极环绕所述纳米片，沿着第一方向，所述底部栅极设置于所述底部鳍片结构的两侧，所述底部栅极沿着垂直于所述衬底所在平面的方向进行延伸并和所述顶部栅极连接，所述第一方向为垂直于所述源极和所述漏极的连线方向。
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