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龙图腾网获悉上海交通大学申请的专利氧化腐蚀产物生长和局部腐蚀预测方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116403656B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310179527.4，技术领域涉及：G16C20/30；该发明授权氧化腐蚀产物生长和局部腐蚀预测方法是由王国莲;何辉;刘晓晶;刘延;张滕飞;柴翔;熊进标设计研发完成，并于2023-02-27向国家知识产权局提交的专利申请。

本氧化腐蚀产物生长和局部腐蚀预测方法在说明书摘要公布了：本发明提供了氧化腐蚀产物生长和局部腐蚀预测方法，采用腐蚀产物在燃料棒包壳上的沉积率与冷却剂对CRUD的剥蚀率之间的动态平衡，计算得到CRUD的沉积层目标厚度，实现了CRUD生长数值的预测；通过计算CRUD的传热参数，以得到CRUD和燃料棒包壳之间的接触温度，并根据接触温度计算得到氧化层厚度，从而实现了对CRUD导致的局部腐蚀即CILC的数值预测，揭示了氧化腐蚀产物对堆芯安全的影响规律，进一步对预测燃料棒的完整性、防止放射性物质外泄和确保反应堆安全均具有重要价值。

本发明授权氧化腐蚀产物生长和局部腐蚀预测方法在权利要求书中公布了：1.一种氧化腐蚀产物生长和局部腐蚀预测方法，其特征在于，所述方法包括： 获取第一参数，并根据所述第一参数和生长模型计算得到腐蚀产物单位面积生长速率；其中，所述第一参数包括近壁面流体的温度和流速，以及多个生长工况计算参数； 根据所述腐蚀产物单位面积生长速率计算得到腐蚀产物沉积层CRUD的沉积层目标厚度；其中，所述沉积层目标厚度用于表征所述腐蚀产物任意时刻沉积和剥蚀共同作用得到的沉积层厚度； 获取第二参数，并根据所述第二参数和计算模型，计算得到所述CRUD的传热参数；其中，所述传热参数包括：导热率、气泡脱离直径、气泡脱离频率和成核位点密度；所述计算模型包括：KI模型、Cole模型和YK模型；所述第二参数包括：液相密度、气相密度、接触角、重力加速度、表面张力、空腔密度、空腔腔口半径、气泡最大空腔半径、气泡最小空腔半径和空腔锥角；根据所述液相密度、所述气相密度、所述接触角、所述重力加速度、所述表面张力以及所述KI模型，计算得到所述气泡脱离直径；根据所述气泡脱离直径、所述液相密度、所述气相密度、所述重力加速度以及所述Cole模型，计算得到所述气泡脱离频率；根据所述空腔密度、所述接触角、所述空腔锥角、所述空腔腔口半径、所述气泡最大空腔半径、所述气泡最小空腔半径以及所述YK模型，计算得到所述成核位点密度； 根据所述传热参数计算得到接触温度；其中，所述接触温度用于表征所述CRUD和燃料棒包壳之间温度，且，所述CRUD和所述燃料棒包壳之间还存在有氧化层； 获取第三参数，并根据所述第三参数和所述接触温度计算得到氧化层厚度；其中，所述第三参数包括：多个常数系数；根据所述第三参数和所述接触温度计算得到过渡厚度；若所述氧化层厚度小于所述过渡厚度，根据所述第三参数和所述接触温度按照第一厚度计算模型计算所述氧化层厚度；或者，若所述氧化层厚度大于所述过渡厚度，根据所述第三参数和所述接触温度按照第二厚度计算模型计算所述氧化层厚度； 根据所述氧化层厚度生成所述氧化层的局部腐蚀结果。

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