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龙图腾网获悉西南交通大学申请的专利一种具有粗细交错正弦结构的高效微混合器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116651286B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310682228.2，技术领域涉及：B01F33/301；该发明授权一种具有粗细交错正弦结构的高效微混合器及其制备方法是由余丙军;陈婷婷;林宇;刘仁星;崔立聪;何旺;钱林茂设计研发完成，并于2023-06-09向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种具有粗细交错正弦结构的高效微混合器及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种具有粗细交错正弦结构的高效微混合器及其制备方法，通过刻划、刻蚀、等离子处理、封装，形成具有粗细交错正弦结构的微混合器，该微混合器具有开口宽度不一的微通道，微通道呈正弦结构状，微通道的上开口大于底部宽度，微通道的纵向截面包括v型截面和上大下小的梯形截面；根据设计要求，微通道的纵向截面由v型截面和梯形截面相互交替过渡渐变，对应的深度也对应相互交替过渡渐变，从而形成粗细交错正弦结构。本发明制备方法简单易操作，制备成本低，在制备过程中控制划痕过程中非晶的形成，制得的三维正弦微混合器能加强液体对流，从而大幅提升混合效率，可有效提升微流控芯片的应用性能，可广泛用于加工微流控芯片的生产。

本发明授权一种具有粗细交错正弦结构的高效微混合器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种具有粗细交错正弦结构的高效微混合器的制备方法，其特征在于步骤如下： S1、在镀有氮化硅的单晶硅表面，用金刚石针尖刻划出通道的进出口和所设计的正弦轨迹，刻划载荷以划穿氮化硅为宜；所述刻划有n条划痕，n条划痕经过步骤S2的刻蚀后形成正弦轨迹；所述正弦轨迹的曲线方程为y=Asinωx+φ，其中相邻两条划痕间的相位差为∆Ф，相邻两条划痕的宽度为∆W，刻蚀后正弦通道的相位差累计为Ф=∆Ф×n-1，正弦通道的总宽度为W=∆W×n-1；正弦通道的宽度由相邻划痕间距和划痕总数决定；其中，n为形成正弦通道的划痕总条数；∆Ф问相邻划痕间的相位差，即左右平移的距离；Ф为顶端划痕和底端划痕间的相位差，也是刻蚀后两条通道壁的相位差；∆W为相邻划痕间的宽度，即上下平移的距离；W为顶端划痕和底端划痕间的宽度，即刻蚀后通道的宽度； S2、将步骤S1刻划后的单晶硅浸没在刻蚀液中刻蚀，将刻划的正弦轨迹刻蚀为一定深度的正弦通道； 刻蚀时，选用KOH溶液作为刻蚀液，刻蚀温度为0~100℃，刻蚀时间为30min～10h； S3、将成型的PDMS与步骤S2刻蚀完成带有正弦通道的单晶硅进出口对齐的地方打孔，进行等离子处理； S4、将步骤S3中经过等离子处理后的单晶硅表面的进出口与PDMS的进出口对齐，进行封装成微混合器。

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