瓴芯电子科技(无锡)有限公司秦松获国家专利权
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龙图腾网获悉瓴芯电子科技(无锡)有限公司申请的专利一种集成SGT温度传感器的SGT电路及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116825781B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310808933.2，技术领域涉及：H10D84/80；该发明授权一种集成SGT温度传感器的SGT电路及其制备方法是由秦松设计研发完成，并于2023-07-04向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种集成SGT温度传感器的SGT电路及其制备方法在说明书摘要公布了：本申请涉及一种SGT电路，包括设置在相同衬底和外延层上的SGT功率晶体管和温度传感器，以及位于二者之间的隔离环，其形成于外延层中并开口于外延层的上表面，闭合包围温度传感器；其中温度传感器包括温度传感二极管，包括：衬底；外延层，形成在衬底之上，其掺杂类型与衬底相同，衬底的掺杂浓度高于外延层的掺杂浓度；第一区域，形成在隔离环包围的外延层中，其中第一区域的掺杂类型与外延层互补，第一区域在外延层延伸的深度小于隔离环在外延层中延伸的深度；其中，第一区域与隔离环包围的外延层共同构成温度传感二极管的PN结。
本发明授权一种集成SGT温度传感器的SGT电路及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种SGT电路，包括 设置在相同衬底和外延层上的SGT功率晶体管和温度传感器，以及位于二者之间的隔离环，其形成于所述外延层中并开口于所述外延层的上表面，闭合包围所述温度传感器； 其中所述温度传感器包括温度传感二极管，包括： 衬底； 外延层，形成在所述衬底之上，其掺杂类型与所述衬底相同，所述衬底的掺杂浓度高于所述外延层的掺杂浓度； 第一区域，形成在所述隔离环包围的外延层中，其中所述第一区域的掺杂类型与所述外延层互补，所述第一区域在所述外延层延伸的深度小于所述隔离环在所述外延层中延伸的深度； 介质层，形成在所述外延层上方； 金属层，形成在所述介质层上方； 多个接触孔，分别配置为将所述第一区域与所述金属层的第一部分电连接，以及将外延层与所述金属层的第二部分电连接，其中所述金属层的第一部分和第二部分彼此电学隔离； 其中，所述第一区域与外延层共同构成所述温度传感二极管的PN结。
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