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龙图腾网获悉中国电力科学研究院有限公司;国家高电压计量站申请的专利一种基于多级MARX放电回路的冲击电压校准装置及方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116840760B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310829322.6，技术领域涉及：G01R35/00；该发明授权一种基于多级MARX放电回路的冲击电压校准装置及方法是由周峰;殷小东;雷民;刘少波;龙兆芝;李文婷;刁赢龙;范佳威;胡康敏;余也凤;陈亮设计研发完成，并于2023-07-07向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于多级MARX放电回路的冲击电压校准装置及方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于多级MARX放电回路的冲击电压校准装置，模块用于设置与装置连接的冲击分压器的负载参数，充电电压参数；通过FPGA时序控制模块触发多级MARX回路中每一级MARX回路中的充电控制MOSFET开关，直流充电模块向多级MARX回路充电；多级MARX回路中的每一级MARX回路通过二极管串联，每一级MARX回路中通过储能电容进行并联充电；FPGA时序控制模块设置每一级MARX回路中放电导通MOSFET开关的导通时延；充电反馈模块用于向控制模块实时反馈每一级MARX回路中储能电容的充电电压，当充电电压达到预设阈值时，基于每一级MARX回路中放电导通MOSFET开关的导通时延，触发每一级MARX回路中的放电导通MOSFET开关，多级MARX回路同时串联放电，经由冲击分压器向负载叠加输出电压。

本发明授权一种基于多级MARX放电回路的冲击电压校准装置及方法在权利要求书中公布了：1.一种基于多级MARX放电回路的冲击电压校准装置，所述装置包括：控制模块、直流充电模块、多级MARX回路、多级MOSFET光耦隔离触发模块、FPGA时序控制模块、充电反馈模块； 所述控制模块用于设置与所述装置连接的冲击分压器的负载参数，基于所述负载参数，确定所述直流充电模块的充电电压参数； 基于所述充电电压参数，通过所述FPGA时序控制模块触发多级MARX回路中每一级MARX回路中的充电控制MOSFET开关，直流充电模块向多级MARX回路充电；每一级MARX回路包括依次连接的波头电阻、储能电容、充电控制MOSFET开关、波尾电阻以及放电导通MOSFET开关； 所述多级MARX回路的级数至少为2级；所述多级MARX回路中的每一级MARX回路通过二极管串联，每一级MARX回路中通过储能电容进行并联充电； 所述FPGA时序控制模块设置每一级MARX回路中放电导通MOSFET开关的导通时延； 所述充电反馈模块用于向所述控制模块实时反馈每一级MARX回路中储能电容的充电电压，当充电电压达到预设阈值时，基于所述每一级MARX回路中放电导通MOSFET开关的导通时延，触发每一级MARX回路中的放电导通MOSFET开关，多级MARX回路同时串联放电，经由冲击分压器向负载叠加输出电压； 确定每一级MARX回路中放电导通MOSFET开关的导通时延，包括： 调整每一级MARX回路中的波头电阻及波尾电阻，使得每一级MARX回路的导通时间分散性与其余级数MARX回路的导通时间分散性之间差值的和达到最小； 基于每一级MARX回路的导通时间分散性，通过所述FPGA时序控制模块设置每一级MARX回路中放电导通MOSFET开关的导通时延，使得每一级MARX回路的导通时间差值在预设的时间差阈值内。

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