南开大学郭亚东获国家专利权
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龙图腾网获悉南开大学申请的专利一种带隙基准电流源、低压差线性稳压器及电源管理器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116880645B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311036444.6，技术领域涉及：G05F1/567；该发明授权一种带隙基准电流源、低压差线性稳压器及电源管理器是由郭亚东;罗锋;肖知明;孟逸飞;赵越设计研发完成，并于2023-08-17向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种带隙基准电流源、低压差线性稳压器及电源管理器在说明书摘要公布了：本申请提供一种带隙基准电流源、低压差线性稳压器及电源管理器，应用于电源芯片技术领域，其中带隙基准电流源采用双带隙基准构成带隙基准环路，并利用运放钳位单元实现钳位调整，以此产生一个正比于温度的基准电流，方便后续使用该基准电流进行线性稳压，使得稳压器具有较高的带载能力，很低的静态电流和较高的电源噪声抑制比，能够提高稳压电路的整体效率，也极大的减小了版图面积。
本发明授权一种带隙基准电流源、低压差线性稳压器及电源管理器在权利要求书中公布了：1.一种带隙基准电流源，其特征在于，包括：第一带隙基准电路、第二带隙基准电路、运放钳位电路；第一带隙基准电路包括第一电阻、第一MOS管、第二MOS管和第一三极管；第二带隙基准电路包括第二电阻、第三MOS管、第四MOS管、第二三极管和第三电阻；运放钳位电路包括运放电路； 其中，第一电阻的一端连接输入电源，第一电阻的另一端连接第一MOS管的源极；第一MOS管的栅极与第三MOS管的栅极、第一MOS管的漏极以及运放电路的第一差分输入端连接，第一MOS管的漏极与第二MOS管的漏极连接；第二MOS管的栅极与第四MOS管的栅极、第一三极管的基极、第二三极管的基极连接，第二MOS管的源极与第一三极管的集电极连接；第一三极管的发射极连接电源地；第二电阻的一端连接输入电源，第二电阻的另一端与第三MOS管的源极连接；第三MOS管的漏极与运放电路的第二差分输入端、第四MOS管的漏极连接；第四MOS管的源极与第二三极管的集电极连接；第二三极管的发射极通过第三电阻连接到电源地；运放电路的输出端与第一MOS管的源极、第三MOS管的源极连接；第一三极管的基极作为电流源的输出端以对外提供正比于温度的输出电流。
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