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龙图腾网获悉无锡北京大学电子设计自动化研究院申请的专利一种基于解析模型的晶体管老化应力计算方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116882346B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310843291.X，技术领域涉及：G06F30/367；该发明授权一种基于解析模型的晶体管老化应力计算方法是由王润声;张作栋;林亦波;黄如设计研发完成，并于2023-07-11向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于解析模型的晶体管老化应力计算方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于解析模型的晶体管老化应力计算方法，是一种解析式自动生成方法，适用于老化机制为偏压温度不稳定性biastemperatureinstability，BTI和热载流子退化hotcarrierdegradation，HCD的晶体管，本发明的解析模型根据门级仿真得到的统计性动态信息如占空比dutyfactor，DF和翻转率togglerate，TR计算内部晶体管的应力，所使用的解析式通过晶体管级的逻辑仿真自动化生成，且支持不同种老化机制的应力分析。

本发明授权一种基于解析模型的晶体管老化应力计算方法在权利要求书中公布了：1.一种基于解析模型的晶体管老化应力计算方法，其特征在于，包括以下步骤： 获得标准单元的SPICE网表，解析出输入和输入端口以及内部每个节点，准备仿真配置； 进行静态逻辑分析，遍历所有种输入组合，获得静态老化应力的解析式；所述静态老化应力的解析式包括负偏压温度不稳定性NBTI和正偏压温度不稳定性PBTI；分别是PMOS的主要退化与NMOS的主要退化；其中，NBTI发生在PMOS的栅极为低电压，源漏为高电压的情况下；PBTI发生在NMOS的栅极为高电压，源漏为低电压的情况下； 进行瞬态翻转分析，遍历每个输入在翻转时其他所有输入的组合，获得动态老化应力的解析式；所述动态老化应力的解析式根据门级仿真提供的翻转率信息以及时钟周期计算翻转发生的总次数，再根据真值表得到各个晶体管充放电的逻辑式计算各个晶体管出现饱和电流的次数，根据时序分析得到当前标准单元的输出转换时间，出现饱和电流的次数乘上每次的时间获得HCD应力时间； 根据获得的静态老化应力的解析式和动态老化应力的解析式，和门级仿真得到的每个标准单元输入的占空比和翻转率，计算标准单元内部不同晶体管在不同退化机制下的退化量；所述标准单元内部每个晶体管NBTI应力的解析式生成方法具体包括： 首先根据真值表中出现NBTI应力的情况写出当前晶体管会造成NBTI老化的逻辑表达式； 将逻辑表达式转化为此逻辑表达式包含的组合出现的概率，当每个输入都是独立时，则联合概率用输入的占空比DF计算。

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