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龙图腾网获悉福建福晶科技股份有限公司申请的专利一种提高355nmUV窗片抛光基底抗损伤能力的加工方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117001431B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311158993.0，技术领域涉及：B24B1/00；该发明授权一种提高355nmUV窗片抛光基底抗损伤能力的加工方法是由付相辉;廖洪平;陈秋华;陈伟;张星设计研发完成，并于2023-09-09向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种提高355nmUV窗片抛光基底抗损伤能力的加工方法在说明书摘要公布了：一种提高355nmUV窗片抛光基底抗损伤能力的加工方法，在于设定粗磨、精磨等加工程序，分析各工序的辅料可能造成的亚损伤层程度，在后工序定量去除尺寸，消除前工序在加工产生的亚损伤，从而逐步实现对光学器件的加工；精抛后表面用酸进行微处理，将前者产生的水解层和大部分亚损伤层消除，最后再对光学器件表面进行表面二次精加工，二次精加工充分考虑光学器件的工作波长，因为氧化锆或者氧化硅在355nm的吸收极低，使用其作为抛光粉和抛盘原料，减弱因表面残留杂质的诱发作用，提高基底的抗损伤能力，从而提高元件的光学性能。

本发明授权一种提高355nmUV窗片抛光基底抗损伤能力的加工方法在权利要求书中公布了：1.一种提高355nmUV窗片抛光基底抗损伤能力的加工方法，其特征在于，包括： 成形好的UV窗片基片，先用双面抛光法对表面进行粗抛，将抛光好的基片清洗干净，用光胶法上盘到光胶板，涂漆烘干后用碳化硅砂进行粗磨和精磨，满足尺寸要求后清洗基片表面的残余砂粒，再放到高速抛光机上粗抛，粗抛后再用传统沥青盘抛光法进行首次精抛，将精抛后的基片，利用多槽超声波进行清洗，再放入特定的酸溶液中进行表面处理，处理后采用超声波再次清洗基片，然后进行二次精抛，其中，后工序采用定量加工，磨抛去除一定量的尺寸，消除前工序加工产生的亚损伤； 其中， 二次抛光选用抛光液中的抛光粉包括氧化锆或氧化硅，二次精抛所使用的沥青抛盘采用氧化锆或氧化硅制备而成； 所述后工序采用定量加工，磨抛去除一定量的尺寸，消除前工序加工产生的亚损伤，体现为： 所述的粗磨用W28砂研磨，研磨去除尺寸0.3～0.4mm，研磨时间为25～30分钟； 所述的精磨用W7砂研磨，研磨去除尺寸0.12～0.15mm，研磨时间为30～35分钟； 所述的粗抛用平均粒径1～2μm的氧化铈抛光，粗抛去除尺寸0.025～0.03mm，抛光时间为40～50分钟； 所述的首次精抛采用平均粒径0.5μm的氧化铈抛光，精抛去除尺寸0.008～0.01mm，抛光时间为2.5～3小时； 所述的二次精抛的抛光液中抛光粉与纯水的配比是1:2，平均粒径是80nm，精抛去除尺寸大于0.005mm，抛光时间为7～8小时。

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