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龙图腾网获悉天合光能股份有限公司申请的专利异质结背接触电池及其适用的电池组件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117117023B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311298960.6，技术领域涉及：H10F10/166；该发明授权异质结背接触电池及其适用的电池组件是由陈达明;杨广涛;陈奕峰设计研发完成，并于2023-10-08向国家知识产权局提交的专利申请。

本异质结背接触电池及其适用的电池组件在说明书摘要公布了：本申请提供了一种异质结背接触电池及其适用的电池组件。异质结背接触电池包括硅衬底，具有相对的第一表面和第二表面，其中，第一表面更靠近电池的受光面、第二表面更靠近电池的背光面，且第二表面包括多个相邻且交替排布的A区段和B区段；钝化层，位于第一表面与受光面之间；隧穿氧化层和与硅衬底具有相同导电类型的第一薄膜层，隧穿氧化层和第一薄膜层在A区段上向远离第二表面的方向依次叠加；以及本征非晶硅层和与硅衬底具有相反导电类型的第二薄膜层，本征非晶硅层和第二薄膜层在B区段上向远离第二表面的方向依次叠加。

本发明授权异质结背接触电池及其适用的电池组件在权利要求书中公布了：1.一种异质结背接触电池，其特征在于，包括： 硅衬底，具有相对的第一表面和第二表面，其中，所述第一表面更靠近所述电池的受光面、所述第二表面更靠近所述电池的背光面，且所述第二表面包括多个相邻且交替排布的A区段和B区段； 钝化层，位于所述第一表面与所述受光面之间； 隧穿氧化层和与所述硅衬底具有相同导电类型的第一薄膜层，所述隧穿氧化层和所述第一薄膜层在所述A区段上向远离所述第二表面的方向依次叠加，所述第一薄膜层包括多晶硅； 本征非晶硅层和与所述硅衬底具有相反导电类型的第二薄膜层，所述本征非晶硅层和所述第二薄膜层在所述B区段上向远离所述第二表面的方向依次叠加，所述第二薄膜层包括非晶硅或纳米晶硅； 第一电极，所述A区段沿所述电池的法线方向在更远离所述第二表面的方向上具有第一空间，绝缘介质层位于所述第一空间中；第二电极，所述B区段沿所述法线方向在更远离所述第二表面的方向上为第二空间； 透明导电膜层，所述透明导电膜层由所述第二空间延伸至所述第一空间中位于所述第一空间中的所述透明导电膜层为透明导电膜A段；以及 所述本征非晶硅层和所述第二薄膜层分别由所述第二空间延伸至所述第一空间中，位于所述第一空间中的所述本征非晶硅层和所述第二薄膜层分别为本征非晶硅A段、第二薄膜A段，其中 所述第一空间具有贯穿所述绝缘介质层、所述本征非晶硅A段、所述第二薄膜A段以及所述透明导电膜A段的槽口，所述槽口的开槽宽度大于所述第一电极的宽度，以使所述第一电极在位于所述槽口中时直接且仅与所述第一薄膜层接触。

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