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龙图腾网获悉广东工业大学申请的专利一种易加工高性能陶瓷基板及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117142842B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311365532.0，技术领域涉及：C04B35/10；该发明授权一种易加工高性能陶瓷基板及其制备方法是由伍尚华;龙国钦;黎业华设计研发完成，并于2023-10-20向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种易加工高性能陶瓷基板及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种易加工高性能陶瓷基板及其制备方法，涉及陶瓷基板加工制造技术领域。本发明提供制备方法，将制得的陶瓷素坯经低温烧结、线锯加工、高温热处理最后研磨抛光得到高性能陶瓷基板；其中，通过调控低温烧结的温度和时间可以调控得到的陶瓷烧结块体致密度为理论密度的50～95％，弯曲强度为成品的20％～85％，硬度HV为1.5～12GPa，这种陶瓷烧结块体的性能更易于进行线锯加工，加工效率显著提高；此外，这种陶瓷烧结体能够确保在加工较薄的陶瓷薄片0.35～2mm时不会出现崩裂现象，避免出现残次品。加工得到的陶瓷薄片经高温热处理可以使陶瓷薄片进一步烧结至全致密或者高致密，提高硬度，弯曲强度及热导率，达到符合陶瓷基板的成品性能要求。

本发明授权一种易加工高性能陶瓷基板及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种易加工高性能陶瓷基板的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： S1、将陶瓷粉体成型处理，制得陶瓷素坯； S2、将所述陶瓷素坯进行烧结，得到陶瓷烧结块体，所述陶瓷烧结块体的致密度为50~95%，弯曲强度为成品弯曲强度的20~85%，维氏硬度为1.5~12GPa； S3、对所述陶瓷烧结块体进行线锯加工，得到长为50~200mm，宽为40~200mm，厚度为0.35~2mm的陶瓷薄片； S4、对所述陶瓷薄片进行高温热处理以修复线锯加工的过程中产生的表面缺陷，再经研磨抛光得到高性能陶瓷基板； 所述陶瓷粉体为Al2O3、AlN、Si3N4、SiC中的任一种； 所述步骤S4中高温热处理的温度高于步骤S2中的烧结的温度； 所述步骤S4中高温热处理的时间多于步骤S2中的烧结的时间； 其中，陶瓷粉体为Al2O3时，步骤S2中的烧结工艺为：烧结温度为900~1500℃，保温时间为0.5~6小时；步骤S4中的高温热处理工艺为：在Ar、N2或空气气氛中，压力为10-5Pa~300MPa的条件下进行，热处理温度为1400~1700℃，保温时间为1~24小时； 陶瓷粉体为AlN时，步骤S2中的烧结工艺为：烧结温度为1300~1750℃，保温时间为0.5~6小时；步骤S4中的高温热处理工艺为：在Ar或N2气氛中，压力为10-5Pa~300MPa的条件下进行，热处理温度为1600~1900℃，保温时间为1~24小时； 陶瓷粉体为Si3N4时，步骤S2中的烧结工艺为：烧结温度为1300~1750℃，保温时间为0.5~6小时；步骤S4中的高温热处理工艺为：在Ar或N2气氛中，压力为10-5Pa~300MPa的条件下进行，热处理温度为1700~2000℃，保温时间为1~24小时； 陶瓷粉体为SiC时，步骤S2中的烧结工艺为：烧结温度为1500~1800℃，保温时间为0.5~6小时；所述步骤S4中的高温热处理工艺为：在Ar或N2气氛中，压力为10-5Pa~300MPa的条件下进行，热处理温度为1800~2200℃，保温时间为1~24小时。

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