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龙图腾网获悉季华实验室申请的专利一种高透过率金刚石微结构制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117165915B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311194736.2，技术领域涉及：C23C16/27；该发明授权一种高透过率金刚石微结构制备方法是由郑森杰;郭可升;杨振怀;刘宏;胡强设计研发完成，并于2023-09-15向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种高透过率金刚石微结构制备方法在说明书摘要公布了：本申请属于光电技术领域，公开了一种高透过率金刚石微结构制备方法，该方法包括：步骤S1，利用金刚石纳米粉的无水乙醇悬浊液和无水乙醇溶液，对第一基材进行超声处理和清洗，得到第二基材，步骤S2，通过激光，对第二基材进行表面刻蚀，以使第二基材表面形成设计需求的金刚石生长区域和抑制金刚石生长区域，得到第三基材，步骤S3，运用氢气、氩气和甲烷气体，基于金刚石生长区域和抑制金刚石生长区域，在第三基材表面进行金刚石生长，得到高透过率金刚石微结构，通过超声技术和激光，结合氢气、氩气和甲烷气体，基于金刚石生长区域和抑制金刚石生长区域，制备得到高透过率金刚石微结构，提高了高透过率金刚石微结构制备的效率。

本发明授权一种高透过率金刚石微结构制备方法在权利要求书中公布了：1.一种高透过率金刚石微结构制备方法，用于对高透过率金刚石微结构进行制备，其特征在于，包括步骤： S1，利用金刚石纳米粉的无水乙醇悬浊液和无水乙醇溶液，对第一基材进行超声处理和超声清洗，得到第二基材； S2，通过激光，对所述第二基材进行表面刻蚀处理，以使所述第二基材的表面形成设计需求的金刚石生长区域和抑制金刚石生长区域，得到刻蚀处理后的具有所述金刚石生长区域和所述抑制金刚石生长区域的第三基材；所述抑制金刚石生长区域呈错位阵列排布； S3，运用氢气、氩气和甲烷气体，基于所述金刚石生长区域和所述抑制金刚石生长区域，在所述第三基材表面进行金刚石生长，得到高透过率金刚石微结构； 所述激光的激光功率为10~1000W；所述激光的光斑直径在10~600μm；所述激光的脉冲宽度在1fs~500ns；所述激光的重复频率在1~106Hz； 所述金刚石生长区域用于生长金刚石；所述抑制金刚石生长区域用于抑制金刚石的生长速度；步骤S3中，通过所述金刚石生长区域和所述抑制金刚石生长区域之间的金刚石生长速度差异，使得所述第三基材能够生长高透过率金刚石微结构。

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