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龙图腾网获悉中国科学院空天信息创新研究院申请的专利硅导电四电极电化学角振动传感器敏感电极及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117228621B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311180060.1，技术领域涉及：B81B7/00；该发明授权硅导电四电极电化学角振动传感器敏感电极及其制造方法是由王军波;张明博;陈德勇;朱茂琦;鲁毓岚设计研发完成，并于2023-09-13向国家知识产权局提交的专利申请。

本硅导电四电极电化学角振动传感器敏感电极及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种硅导电四电极电化学角振动传感器敏感电极及其制造方法，所述敏感电极包括硅基衬底、绝缘层、阳极、流孔、阴极和阴阳极间隙；所述敏感电极结构自上至下为阳极‑阴极‑阴极‑阳极组成的四电极结构；所述硅基衬底由两片晶圆通过SU‑8粘合或者键合而形成；所述制造方法包括如下步骤：1硅片煮酸、煮水清洗，通过等离子体增强化学气相沉积PECVD生长单面氧化硅；2将硅片无氧化层的面氧等离子体处理，增加粘附性；3在没有氧化层的面上使用SU‑8负性光刻胶旋涂，获得SU‑8胶层；4将另一片硅片与匀胶后的硅片进行粘合并对齐，施加稳定压力初步压紧；5压膜，加热烘干；6在确定SU‑8胶已经完全固化后检查粘合强度，并通过显微镜做进一步检查；得到原料硅片。

本发明授权硅导电四电极电化学角振动传感器敏感电极及其制造方法在权利要求书中公布了：1.硅导电四电极电化学角振动传感器敏感电极的制造方法，其特征在于，敏感电极包括硅基衬底、绝缘层、阳极、流孔、阴极和阴阳极间隙；敏感电极结构自上至下为阳极-阴极-阴极-阳极组成的四电极结构；硅基衬底由两片晶圆通过SU-8粘合而形成； 绝缘层位于硅基衬底的上表面和下表面；阳极形成于绝缘层上，绝缘层用于隔绝阳极和硅基衬底以绝缘；流孔贯穿硅基衬底和绝缘层；阴极形成于流孔内的侧壁上，通过硅基衬底导电将阴极电极引出；相邻的阳极和阴极间具有阴阳极间隙，阴阳极间缝隙用以实现阴阳极间绝缘；硅基衬底双面流孔内相邻的两个阴极绝缘设置；硅基衬底导电引出的阴极焊盘是通过刻蚀通孔后溅射金属实现导通； 所述制造方法包括： 一基于SU-8的晶圆级粘合的步骤： 1硅片煮酸、煮水清洗，通过PECVD生长单面氧化硅； 2将硅片无氧化层的面氧等离子体处理； 3在没有氧化层的面上使用SU-8负性光刻胶旋涂，获得SU-8胶层； 4将另一片硅片与匀胶后的硅片进行粘合并对齐，施加稳定压力初步压紧； 5压膜，加热烘干； 6SU-8胶完全固化后，得到原料硅片； 二硅导电贯穿型集成四电极的制作的步骤： a.将所述原料硅片作为基底，清洗； b.氧等离子体处理，预烘烤，双面旋涂AZ1500、前烘、光刻、显影制作溅射用光刻胶掩模； c.硅片双面分别均先溅射Ti层，然后溅射Pt层，通过丙酮-酒精-水剥离，剥离后得到的金属图形作为电极芯片的阳极； d.氧等离子体处理，预烘烤，正面旋涂AZ4620、前烘、光刻、显影制作正面刻蚀用光刻胶掩模； e.使用RIE设备刻蚀正面氧化硅层，深反应离子刻蚀设备刻蚀硅基衬底； f.背面旋涂AZ4620、前烘、光刻、显影，制作背面刻蚀的掩模； g.使用RIE设备刻蚀背面氧化硅层，DRIE设备刻蚀硅基衬底； h.使用RIE设备通入CF4O2,刻蚀中间SU-8粘合层，制作完全贯穿的电极芯片流孔； i.选用SD220干膜光刻胶双面附着，制作溅射流孔侧壁电极的光刻胶掩模； j.双面流孔内侧壁分别均溅射先溅射Ti层，然后溅射Pt层，通过丙酮-酒精-水剥离后的金属图形作为电极芯片的阴极；得到所述敏感电极。

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