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龙图腾网获悉北京亿华通科技股份有限公司申请的专利多孔催化剂气体扩散电极磁控溅射制备方法及电极获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117418205B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311372192.4，技术领域涉及：C23C14/35；该发明授权多孔催化剂气体扩散电极磁控溅射制备方法及电极是由沈荣安;方川;李飞强;彭善龙;李庆雨;周炳辉;袁殿;周百慧设计研发完成，并于2023-10-20向国家知识产权局提交的专利申请。

本多孔催化剂气体扩散电极磁控溅射制备方法及电极在说明书摘要公布了：本发明提供了一种多孔催化剂气体扩散电极磁控溅射制备方法及电极，属于水电解技术领域，方法包括：提供阳极扩散层作为基底，以第一元素、第二元素作为双靶材，其中，第一元素属于第八族元素中的至少一种，第二元素属于过渡元素中的至少一种；将磁控溅射环境压力抽真空至第一压力，通入氩气后调节压力至第二压力；以第一元素作为第一靶材，以第二元素作为第二靶材在阳极扩散层上交替进行溅射，形成异质结或合金层；对异质结或合金层进行造孔处理，并清洗后进行煅烧，冷却后得到多孔催化剂气体扩散电极。本发明采用磁控溅射的方法制备多孔催化剂气体扩散电极，催化剂不会轻易的从质子交换膜上脱落，提高了催化剂的活性，进而提高膜电极的活性。

本发明授权多孔催化剂气体扩散电极磁控溅射制备方法及电极在权利要求书中公布了：1.一种多孔催化剂气体扩散电极磁控溅射制备方法，其特征在于，所述方法包括： 提供阳极扩散层作为基底，以第一元素、第二元素作为双靶材，其中，第一元素属于第八族元素中的至少一种，第二元素属于过渡元素中的至少一种； 将磁控溅射环境压力抽真空至第一压力，通入氩气后调节压力至第二压力； 以所述第一元素作为第一靶材，以所述第二元素作为第二靶材在所述阳极扩散层上交替进行溅射，形成异质结或合金层； 对所述异质结或合金层进行造孔处理，并清洗后进行煅烧，冷却后得到所述多孔催化剂气体扩散电极； 所述第一元素为元素铱，第二元素包括硅、铝、锰、铁、镍、钴中的至少一种或几种； 所述第一元素沉积速率为0.015nms～0.035nms，所述第二元素沉积速率为0.025nms～0.035nms， 所述第一元素溅射时间为20s～30s，所述第二元素溅射时间为80s～100s； 所述交替进行溅射的次数为20～30次； 所述对所述异质结或合金层进行造孔处理，包括通过3molL～5molL的酸溶液或3molL～5molL的碱溶液中进行造孔处理。

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