华为技术有限公司杨磊获国家专利权
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龙图腾网获悉华为技术有限公司申请的专利一种芯片、芯片的制作方法及电子设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117480598B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202180099258.X，技术领域涉及：H10D84/03；该发明授权一种芯片、芯片的制作方法及电子设备是由杨磊;高健;艾瑞克·吴;叶约翰设计研发完成，并于2021-11-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种芯片、芯片的制作方法及电子设备在说明书摘要公布了：本申请提供一种芯片、芯片的制作方法及电子设备，该芯片的制作方法包括：提供一衬底；其中，该衬底的表面具有：多个有源区域，沿第一方向延伸的多个第一条形区域，沿第二方向延伸的多个第二条形区域，以及多个冗余区域；每一个有源区域对应至少一个将要形成的鳍式场效应晶体管，每一个有源区域被第一条形区域和或第二条形区域构成的区域围绕；在衬底上形成多个鳍条；去除多个第一条形区域和多个第二条形区域内的鳍条，以在每一个有源区域内形成鳍式场效应晶体管的鳍结构，以及每一个冗余区域内形成冗余鳍结构。通过形成冗余鳍结构可以使后续形成的隔离介质层的均匀性较好，使得到的鳍式场效应晶体管的性能较好。
本发明授权一种芯片、芯片的制作方法及电子设备在权利要求书中公布了：1.一种芯片，其特征在于，包括：衬底，位于所述衬底之上的多个鳍结构和多个冗余鳍结构； 所述衬底的表面具有：多个有源区域，沿第一方向延伸的多个第一条形区域，沿第二方向延伸的多个第二条形区域，以及多个冗余区域；其中，所述第一方向与所述第二方向相互交叉； 所述衬底之上的每一个所述有源区域内设有至少一个所述鳍结构； 所述衬底之上的每一个所述冗余区域内设有至少一个所述冗余鳍结构； 每一个所述有源区域与所述冗余区域被所述第一条形区域和或所述第二条形区域间隔； 所述多个冗余区域中的至少一个所述冗余区域的形状为包括至少五个边的多边形，且该冗余区域包括至少一个子区域，所述子区域由所述至少五个边中的至少三个边围绕，所述子区域嵌入到相邻两个所述有源区域之间的间隙中。
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