上海琨纬科技有限公司唐立恒获国家专利权
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龙图腾网获悉上海琨纬科技有限公司申请的专利雾化芯及其制造方法和雾化设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117694599B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211104863.4，技术领域涉及：A24F40/10；该发明授权雾化芯及其制造方法和雾化设备是由唐立恒;江志钧;黎华梅;彭晓峰设计研发完成，并于2022-09-09向国家知识产权局提交的专利申请。
本雾化芯及其制造方法和雾化设备在说明书摘要公布了：本申请公开了一种雾化芯的制造方法、雾化芯和雾化设备，制造方法包括：提供一基板，基板包括相背的第一表面和第二表面，基板具有多个基体单元，每个基体单元设有贯穿第一表面和第二表面的穿孔阵列；在整个第一表面上形成电阻层，电阻层具有与基体单元一一对应的导电部；雾化面朝向结构件并与结构件合围成第一气流通道，第一气流通道的中心轴线与整个雾化面平行以使经过第一气流通道的气体平行扫过整个雾化面。如此，先在基板的整个第一表面上形成电阻层，之后再加工电阻层的导电部，使得导电部形成与穿孔阵列至少部分重叠的第一区域，相较于先形成单个基体单元，之后在单个基体单元上设置导电层的方式，效率较高，可以节约雾化芯的生产成本。
本发明授权雾化芯及其制造方法和雾化设备在权利要求书中公布了：1.一种雾化芯的制造方法，其特征在于，包括： 提供一基板，所述基板包括相背的第一表面和第二表面，所述基板具有多个基体单元，每个基体单元设有贯穿所述第一表面和所述第二表面的穿孔阵列； 在整个所述第一表面上形成电阻层，所述电阻层具有与所述基体单元一一对应的导电部； 加工所述基体单元上的导电部以形成第一区域和与所述第一区域绝缘的第二区域，所述第一区域与所述穿孔阵列至少部分重叠。
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