深圳市汇顶科技股份有限公司冉濛获国家专利权
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龙图腾网获悉深圳市汇顶科技股份有限公司申请的专利植入式探测器件的制作方法、植入式探测器件和系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117913182B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410092866.3，技术领域涉及：H10F71/00；该发明授权植入式探测器件的制作方法、植入式探测器件和系统是由冉濛;杨兆宇设计研发完成，并于2024-01-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本植入式探测器件的制作方法、植入式探测器件和系统在说明书摘要公布了：本申请提供了一种植入式探测器件的制作方法、植入式探测器件和系统，该制作方法包括：在晶圆片的第一表面上形成绝缘层；在绝缘层上形成至少一个电极组；对电极组进行绝缘封装，形成包覆电极组的绝缘封装层，其中，绝缘封装层上与对电极、工作电极、参比电极和电极接线板相对的位置设置有开口；在晶圆片的第二表面对晶圆片进行减薄处理；在减薄处理后的晶圆片的第二表面涂覆柔性增强层后，对晶圆片进行切割，获得至少一个半导体器件，其中，每个半导体器件包括一个电极组；在至少一个半导体器件的绝缘封装层上形成功能性膜层，获得至少一个植入式探测器件。应用本申请提供的植入式探测器件的制作方法制作植入式探测器件的工艺简单，成本较低。
本发明授权植入式探测器件的制作方法、植入式探测器件和系统在权利要求书中公布了：1.一种植入式探测器件的制作方法，其特征在于，包括： 在晶圆片的第一表面上形成绝缘层； 在所述绝缘层上形成至少一个电极组，其中，所述电极组包括对电极、工作电极和参比电极，所述对电极、所述工作电极和所述参比电极分别通过金属引线与不同的电极接线板连接； 对所述电极组进行绝缘封装，形成包覆所述电极组的绝缘封装层，其中，所述绝缘封装层上与所述对电极、所述工作电极、所述参比电极和所述电极接线板相对的位置设置有开口； 在所述晶圆片的第二表面对所述晶圆片进行减薄处理，其中，所述第二表面与所述第一表面相对； 在减薄处理后的所述晶圆片的第二表面形成柔性增强层后，对所述晶圆片进行切割，获得至少一个半导体器件，其中，每个所述半导体器件包括一个所述电极组； 在所述至少一个半导体器件的所述绝缘封装层上形成功能性膜层，获得至少一个植入式探测器件，其中，所述功能性膜层与所述对电极、所述工作电极和所述参比电极接触。
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